一种三氯化硼的纯化方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种三氯化硼的纯化方法，包括以下步骤：将原料三氯化硼经过滤器过滤后去除原料中的尺寸颗粒，经一级吸附塔除水，二级吸附塔除光气，经粗品罐收集升压后通入一级精馏塔去除轻组分，二级精馏塔去除重组分，最后对三氯化硼进行检测，检测合格收集至产品储罐，不合格产品返回至一级吸附塔继续进行纯化；本发明专利技术还提供一种三氯化硼的纯化装置，通过含有4A分子筛和MOF‑74系列填料的吸附塔去除粗品三氯化硼中的水分和光气，再通过二级精馏对三氯化硼进行纯化，工艺流程简单，产品纯度可达6N级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化工，具体涉及一种三氯化硼的纯化方法及装置。

技术介绍

1、半导体集成电路生产环节中，电子气体是不可或缺的核心支撑气体。三氯化硼作为一种重要的电子气体，可通过化学气相沉积形成薄膜，是制造光导纤维、集成电路bpg材料的基本物质。在等离子体刻蚀制程中，三氯化硼是金属铝刻蚀的重要气体，同时也可用于ic制造中的掺杂与离子注入等过程。

2、随着半导体行业的发展，对半导体工艺的条件控制也越来越精细，对于三氯化硼的纯度也提出了更高的要求。只有使用高纯度的三氯化硼，才能保证芯片制程的可控。要让三氯化硼达到足够的纯度，最关键是要去除其中有害的、最难去掉的杂质。

3、粗品三氯化硼的杂质通常包括：水，光气、氯气、一氧化碳、二氧化碳、氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅、氮气和氧气。其中光气与三氯化硼的沸点相当接近，尤难去除。目前急需一种简单的工艺纯化粗品三氯化硼，以得到高品质的三氯化硼。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种高纯三氯化硼的纯化方法及装置，工艺简单，便于操作。

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【技术保护点】

1.一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，所述过滤器(8)直径尺寸为3-30nm。

3.根据权利要求1所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，所述一级吸附塔(2)的填料是4A分子筛，所述一级吸附塔(2)的工作压力为0.4MPa，二级吸附塔(3)填料是MOF-74系列，所述二级吸附塔(3)的工作压力为0.3MPa。

4.根据权利要求3所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，MOF-74系列材料为Mg-MOF-74、Zn-MOF-74、Ni-MOF-74、Co-MOF-74、Cu...

【技术特征摘要】

1.一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，所述过滤器(8)直径尺寸为3-30nm。

3.根据权利要求1所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，所述一级吸附塔(2)的填料是4a分子筛，所述一级吸附塔(2)的工作压力为0.4mpa，二级吸附塔(3)填料是mof-74系列，所述二级吸附塔(3)的工作压力为0.3mpa。

4.根据权利要求3所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，mof-74系列材料为mg-mof-74、zn-mof-74、ni-mof-74、co-mof-74、cu-mof-74、mn-mof-74和cr-mof-74中的一种或任意几种组合。

5.根据权利要求1所述的一种三氯化硼的纯化方法，其特征在于，所述粗品罐(4)配备冷媒制冷装置和加热装置，收集时通入冷媒将粗品罐(4)压力调至0.0-0.1mpa，收集至一定液位后加...

【专利技术属性】
技术研发人员：白犇，刘跃旭，张威，郝宁，韩闯，贾静姗，黄英，王云飞，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：