【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种仿真数据处理方法及设备。
技术介绍
1、idd的含义包括互补金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，cmos)电路中的器件的漏极到漏极的电流值，通过分析cmos电路的idd仿真结果，能够实现对cmos电路功耗的检查分析。
2、目前，通过仿真获得的idd仿真结果一般为逗号分隔值(comma separatedvalues，csv)文件，对于单一器件，该csv文件上仅有其idd值以及其父结点等信息，在层次化电路设计中，设计人员如果想查看该器件在电路中所处的位置，只能通过反复的查找，效率较低。
技术实现思路
1、本公开提供了一种仿真数据处理方法及设备，可以有效提升设计人员分析idd仿真结果的效率。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种仿真数据处理方法，应用于cmos电路，所述cmos电路中包括若干个器件，所述方法包括：
3、获取所述cmos电路的仿真结果数据，所述仿真结果数据...
【技术保护点】
1.一种仿真数据处理方法，其特征在于，应用于互补金属氧化物半导体CMOS电路，所述CMOS电路中包括若干个器件，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述根据各个所述器件对应的父器件句柄，确定各个所述器件对应的层次路径，包括：
3.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的电路测试方法，其特征在于，所述仿真结果数据中还包括各个所述器件在每个所述输入电压下的IDD，所述输入电压为两个或两个以上，所述获取所述CMOS电路的仿真结果数据，包括：
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种仿真数据处理方法，其特征在于，应用于互补金属氧化物半导体cmos电路，所述cmos电路中包括若干个器件，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述根据各个所述器件对应的父器件句柄，确定各个所述器件对应的层次路径，包括：
3.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的电路测试方法，其特征在于，所述仿真结果数据中还包括各个所述器件在每个所述输入电压下的idd，所述输入电压为两个或两个以上，所述获取所述cmos电路的仿真结果数据，包括：
5.根据权利要求1或2所述的电路测试方法，其特征在于，所述根据各个所述器件对应的层次路径，将所述仿真结果数据转换为树形结构数据，包括：
6.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述在显示界面中显示所述树形结构数据，包括：
7.一种仿真数据处理装置，其特征在于，应用于cmos电路，所述cmos电路中包括若干个器件，所述装置包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：王元龙，陈婵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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