【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及存储设备并且更具体地涉及非易失性存储设备。
技术介绍
1、已知具有存储单元的非易失性存储设备，存储单元各自具有安置于半导体衬底的沟道区上方且与沟道区绝缘的浮动栅极。浮动栅极上的电荷在读取操作期间控制沟道区的导电性。为了对存储单元进行编程，在编程操作期间将电子放置于浮动栅极中。为了擦除存储单元，在擦除操作期间从浮动栅极移除电子。存储单元的编程状态是由浮动栅极上的电荷(即，电子的数目)规定的，在读取操作期间通过在将适当读取电压施加到存储单元时检测穿过沟道区的电流(称为读取电流)的电平来测量电荷。存储单元的编程状态越高(即，浮动栅极上的电子的数目越大)，读取电流越低。相反，编程状态越低(即，浮动栅极上的电子的数目越少)，读取电流越高。存储单元的编程状态可被设置成存储数据。举例来说，高编程状态可反映″0″位值，而低编程状态可反映″1″位值。存储单元还可在模拟模式下操作，其中可使用任何数目的编程状态来存储数据。
2、在管芯制造期间，已知执行电测试以确保任何给定管芯上的存储单元满足质量标准。这些测试之一可以是加速数据保留测...
【技术保护点】
1.一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定电流值在4μA至5μA的范围内。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定数目在1至3的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
6.一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述预定电压值在0.5V至1.0V的范围内。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述预定数目在1至3的范围内。
9.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定电流值在4μa至5μa的范围内。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定数目在1至3的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
6.一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述预定电压值在0.5v至1.0v的范围内。
8.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·卡其夫，金珍浩，C·冯，G·费斯特斯，B·贝尔泰洛，P·加扎维，B·维拉德，J·F·蒂耶里，C·德科贝尔特，S·乔尔巴，F·罗，L·蒂，N·多，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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