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一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法包括对存储单元进行擦除并且执行第一读取操作以确定存储单元的最低读取电流RC1和具有最低读取电流RC1的存储单元的第一数目N1。执行第二读取操作以确定具有不超过目标读取电流RC2的读取电流的存储单元...
该专利属于硅存储技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术股份有限公司授权不得商用。

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