双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座制造技术

技术编号:41479368 阅读:16 留言:0更新日期:2024-05-30 14:29
双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,包括依次连接的射频信号接收单元、射频信号处理单元和电信号输出单元;射频信号接收单元接收微波信号,并将微波信号输出至射频信号处理单元进行处理;射频信号处理单元包括核心热敏电阻负载座和电路板;核心热敏电阻负载座包括金属腔体和同轴波导过渡结构,同轴波导过渡结构包括用于调整双面共面波导芯片位置的弹性连接件;双面共面波导芯片对微波信号进行处理后,通过电路板转换为电信号输出;电信号输出单元接收射频信号处理单元输出的电信号并输出数值。本发明专利技术可实现最大频率达110GHz以上的微波功率测量,通过可调节的弹性连接件、同轴波导过渡结构等,实现50GHz以上的最佳匹配。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,更具体的说,特别涉及一种带有可调节的弹性连接件的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座。


技术介绍

1、单面的共面波导片式结构类似微带线,区别在于共面波导具有更小的物理尺寸,主要通过顶层接地与中心导体之间的间距实现阻抗调节,其间距通常比微带线要小,当间距足够大时,背面接地的共面波导就相当于微带线了。同时,微带线和带状线在高频30ghz及以上频段的工作效率降低,损耗增加;共面波导结构相比接地共面波导则具有牢固的接地结构,在30ghz以上直到110ghz以上的高频频段具备更低的损耗和稳定性能。

2、热敏电阻功率座形式受到结构尺寸和加工能力限制,一般的工作频率在30ghz以下,不再适合于对工作到40ghz的微波信号进行测量。

3、因此,现有技术存在的问题,有待于进一步改进和发展。


技术实现思路

1、(一)专利技术目的:为解决上述现有技术中存在的问题,本专利技术的目的是提供可以实现更好的匹配和更宽的带宽,而且带有可调节的弹性连接件的双面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,包括依次连接的射频信号接收单元、射频信号处理单元和电信号输出单元;所述射频信号接收单元接收外界的微波信号,并将所述微波信号输出至所述射频信号处理单元进行数据处理;

2.根据权利要求1所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述射频信号处理单元还包括承载所述核心热敏电阻负载座和电路板的保温结构以及与所述核心热敏电阻负载座连接的第二转接头;所述保温结构包括前盖板、后盖板以及筒身。

3.根据权利要求2所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述射频信号接收单元包括射频接头和与所述...

【技术特征摘要】

1.双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,包括依次连接的射频信号接收单元、射频信号处理单元和电信号输出单元;所述射频信号接收单元接收外界的微波信号,并将所述微波信号输出至所述射频信号处理单元进行数据处理;

2.根据权利要求1所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述射频信号处理单元还包括承载所述核心热敏电阻负载座和电路板的保温结构以及与所述核心热敏电阻负载座连接的第二转接头;所述保温结构包括前盖板、后盖板以及筒身。

3.根据权利要求2所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述射频信号接收单元包括射频接头和与所述射频信号处理单元连接的第一转接头;所述第一转接头连接隔直器,所述隔直器连接所述第二转接头,屏蔽直流信号。

4.根据权利要求1所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述金属腔体包括第一腔体和第二腔体;所述第二腔体在靠近所述同轴波导过渡结构的一端内表面设置有凹槽,所述凹槽大小与所述双面共面波导芯片相匹配;

5.根据权利要求4所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述第一腔体和所述第二腔体在连接处形成缝隙,所述同轴波导过渡结构内有与所述缝隙相匹配的缝隙;

6.根据权利要求1所述的双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,其特征在于,所述同轴波导过渡结构中心设置有圆柱形的内导体,所述同轴波...

【专利技术属性】
技术研发人员:许传忠刘全张明张永程王云鹏
申请(专利权)人:北京中玮科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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