制造低k介电膜的方法及使用低k介电膜的气隙的形成技术

技术编号:4146921 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术披露了一种制造介电膜的方法以及一种使用制造的低k介电膜形成气隙的方法。制造低k介电膜的方法包括:将TMS和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中,利用反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁烯,从而在置于反应器中的衬底上沉积绝缘膜,以及使沉积的绝缘膜同时遭受热处理和ICP工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件,更具体地,涉及一种制造具有不大于2.4的低介电常数(对半导体器件有用)的介电绝缘膜的方法,以及使用所制造的介电绝缘膜形成气隙(air-gap)的方法,其中,制造介电绝缘膜的方法包括使用配置有双起泡器(bubbler)的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor d印osition, PECVD)装置并通过执行电感耦合等离子体快速热退火(inductivelycoupled plasma-r即idthermal annealing, ICP-RTA)工艺沉积等离子体聚合SiC0H_CHx膜(plasma polymerizedSiC0H-CHx film)。
技术介绍
通常,具有CPU、存储器和系统LSI的大规模集成(large-scaleintegration,LSI)装置采用碳基氧化硅膜作为层间介电膜,以降低导致信号延迟的互联电容(interco皿ection capacity)。 具有不同成分的多种碳化硅膜是众所周知的。这些薄膜中的一种可以是包含硅Si、碳C和氢H的碳化硅膜。这种薄膜具有相对高的吸水性和/或吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造介电膜的方法,包括:将三甲基硅烷(TMS)和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中;利用在所述反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁烯,以便在置于所述反应器中的衬底上沉积绝缘膜;以及使所述沉积的绝缘膜同时遭受热处理和电感耦合等离子体(ICP)工艺。

【技术特征摘要】
KR 2008-10-15 10-2008-0101130一种制造介电膜的方法,包括将三甲基硅烷(TMS)和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中;利用在所述反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁烯,以便在置于所述反应器中的衬底上沉积绝缘膜;以及使所述沉积的绝缘膜同时遭受热处理和电感耦合等离子体(ICP)工艺。2. 根据权利要求l所述的方法,其中,通过使用等离子体聚合TMS和3、3-二甲基-l-丁 烯来执行所述绝缘膜的沉积。3. 根据权利要求l所述的方法,其中,通过使用电感耦合等离子体快速热退火 (ICP-RTA)装置同时执行所述热处理和所述ICP工艺。4. 根据权利要求1所述的方法,其中,所述同时进行的热处理和ICP工艺包括通过利 用设置在所述衬底周围的卤素灯来产生热,并以350至45(TC加热所述沉积的绝缘膜以完 成所述热处理,其中,所述衬底沉积有所述绝缘膜,所述卤素发出波长为2至5ym的光。5. 根据权利要求4所述的方法,其中,所述同时进行的热处理和ICP工艺包括对所述 沉积的绝缘膜的热处理,同时,在所述反应器中产生N20等离子体,从而用所述产生的等离 子体处理所述沉积的绝缘膜。6. 根据权利要求1所述的方法,其中,由聚合TMS和3、3- 二...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁宰瑛
申请(专利权)人:东部高科股份有限公司
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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