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本发明披露了一种制造介电膜的方法以及一种使用制造的低ｋ介电膜形成气隙的方法。制造低ｋ介电膜的方法包括：将ＴＭＳ和３、３－二甲基－１－丁烯导入到等离子体沉积反应器中，利用反应器中产生的等离子体来聚合ＴＭＳ和３、３－二甲基－１－丁烯，从而在置于...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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