固态成像元件、成像装置和用于控制固态成像元件的方法制造方法及图纸

本发明专利技术在抑制同时曝光所有像素的固态图像传感器中的帧速率的减小的同时提高图像质量。该固态图像传感器包括比较单元、前级电路、电容器单元和后级电路。比较单元将与曝光对应的信号电平与预定的阈值进行比较，并且输出比较结果。前级电路以基于比较结果而从多个不同转换效率中选择的转换效率将电荷转换为电压并输出电压。电容器单元保持电压。后者电路读取所保持的电压，并将读取电压输出到垂直信号线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本技术涉及固态成像元件。更具体地，本技术涉及电压域系统的固态成像元件、成像装置和用于控制固态成像元件的方法。

技术介绍

1、将信号电荷转换成电压并且保持电压的电压域系统的全局快门互补mos(cmos)图像传感器已经引起关注。这种传感器在下文中称为“vd.gs”。存在vd.gs遭受ktc噪声增加的可能性，从而已经提出了其中为每个像素设置包括一对电容器元件的采样保持电路的配置(例如，见非专利文献1)。

2、引用列表

3、非专利文献

4、非专利文献1：geunsookpark,etal.,a 2.2μmstackedbackside illuminatedvoltagedomainglobalshuttercmosimagesensor,iedm 2019。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题

2、上述已知技术使采样保持电路保持电压，以便减小vd.gs中的ktc噪声。然而，在被用以将电荷转换为电压的转换效率被切换为多个电平的情况下，需要增加上述固态成像元件，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种固态成像元件，包括：

2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

3.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

5.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

6.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

7.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中，

8.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中，

9.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

10.根据权利要求9所述的固态成像元件，进一步包括：

11.根据权利要求10...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种固态成像元件，包括：

2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

3.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

5.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

6.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

7.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中，

8.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中，

9.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，

10.根据权利要求9所述的固态成像元件，进一步包括：

11.根据权利要求10所述的固态成像元件，其中，

12.根据权利要求11所述的固态成像元件，进一步包括开关单元，所述开关单元被配置为调节待...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田辽人，朝仓伦丰，稻田喜昭，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：