【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种积层陶瓷电容，特别是提供一种具有高内电极连续性的积层陶瓷电容及其制作方法。
技术介绍
1、随着科技的进步，电子产品对于电容的要求越趋严格，且随着轻薄化的研发趋势，电容的尺寸规格也越趋微小化。为兼顾电容尺寸与电容特性的要求，具有多层金属电极片的积层陶瓷电容(multi-layer ceramic capacitor；mlcc)已成为极力被发展的产品。由于积层陶瓷电容将电量储存材料层压为梳形(comb)结构，故可在相同体积的条件下，具有较大的电极面积，而可提供较佳的电容特性，进而满足高阶产品的应用需求。
2、于积层陶瓷电容的工艺中，随着积层陶瓷电容的内电极层的堆叠层数增加，内电极层也越趋微细，但烧结工艺中所施加的高温热能易导致内电极层的金属粒子球化，而导致不连续的缺陷，进而降低积层陶瓷电容的电容特性。
3、有鉴于此，亟需提供一种积层陶瓷电容及其制作方法，以改进现有积层陶瓷电容及其制作方法的缺点。
技术实现思路
1、本专利技术的一态样提供一种积层陶瓷电容...
【技术保护点】
1.一种积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：
2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，所述多个金属粒子的形成方法包含：
3.根据权利要求2所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该雾化溶液包含化合物，且该化合物具有对应于该氧化金属层的金属原子。
4.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层的厚度为1nm至50nm。
5.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层包含锡氧化物，且该金属层包含金属锡。
6.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：
2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，所述多个金属粒子的形成方法包含：
3.根据权利要求2所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该雾化溶液包含化合物，且该化合物具有对应于该氧化金属层的金属原子。
4.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层的厚度为1nm至50nm。
5.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层包含锡氧化物，且该金属层包含金属锡。
6.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，于进行该高温烧结步骤前，所述多个内电极层未于还原环境中处理。
7.根据权利要求6所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该还原环境的氧分压不大于10-10mpa。
8.根据权利要求6所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该还原环境的温度不小于1000℃。
9.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该高温烧结步骤的氧分压为10-12mpa至10-10mpa。
10.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤本正之，杨凯勋，郑义冠，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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