一种抛光系统的多重降温方法技术方案

本发明专利技术属于抛光技术领域，具体涉及一种抛光系统的多重降温方法。本发明专利技术提供的抛光系统的多重降温方法，包括以下步骤：(1)利用循环冷却水对抛光盘进行冷却；(2)利用循环冷却水对抛光液桶中的抛光液进行冷却；(3)利用循环冷却水对管路中的抛光液进行冷却；(4)利用气体对抛光垫表层进行冷却；所述步骤(1)～(4)没有先后顺序的限制。本发明专利技术提供的第三代半导体化学机械抛光系统的多重降温工艺，用于解决第三代半导体晶片如碳化硅晶片、氮化镓晶片等在长时间高强度抛光加工中产生大量的热无法及时散发而导致的抛光盘变形、抛光精度变差甚至晶片粘结蜡软化导致的晶片移位或跑片而造成损失，维持产品精度、工艺的稳定性及生成安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于抛光，具体涉及一种抛光系统的多重降温方法。

技术介绍

1、传统的化学机械抛光设备主要采用利用循环水对抛光盘、抛光液以及抛光机压力头进行冷却的方式进行降温。对抛光盘和抛光液的降温在半导体硅片行业有着成熟的应用，但对于第三代半导体(如碳化硅晶片、氮化镓晶片)抛光加工的散热能力不足；而对抛光机的压力头进行冷却，主要是通过对抛光机压力盘进行冷却从而冷却晶片陶瓷载盘的背面，该冷却方式的问题是冷却面积小、散热效果有限，同时陶瓷载盘贴附晶片的面受热膨胀而背面冷却，会导致陶瓷载盘较大的热变形，陶瓷盘的变形量可以达到10微米以上，明显影响产品的加工精度。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种抛光系统的多重降温方法，本专利技术提供的多重降温方法降温效果更加有效，进而有利于提高第三代半导体产品的加工精度。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：

3、本专利技术提供了一种抛光系统的多重降温方法，包括以下步骤：

4、(1)利用循环冷却水对抛光盘进行冷却；

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抛光系统的多重降温方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的多重降温方法，其特征在于，步骤(1)中，所述循环冷却水的流量为20L/min以上；所述循环冷却水的温度为5～25℃。

3.根据权利要求2所述的多重降温方法，其特征在于，所述冷却后，所述抛光盘的温度范围为5～25℃。

4.根据权利要求1所述的多重降温方法，其特征在于，步骤(2)中，所述循环冷却水的流量不小于10L/min；所述循环冷却水的温度为10℃以下。

5.根据权利要求1或4所述的多重降温方法，其特征在于，所述冷却后，所述抛光液桶中的抛光液的温度范围为5～...

【技术特征摘要】

1.一种抛光系统的多重降温方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的多重降温方法，其特征在于，步骤(1)中，所述循环冷却水的流量为20l/min以上；所述循环冷却水的温度为5～25℃。

3.根据权利要求2所述的多重降温方法，其特征在于，所述冷却后，所述抛光盘的温度范围为5～25℃。

4.根据权利要求1所述的多重降温方法，其特征在于，步骤(2)中，所述循环冷却水的流量不小于10l/min；所述循环冷却水的温度为10℃以下。

5.根据权利要求1或4所述的多重降温方法，其特征在于，所述冷却后，所述抛光液桶中的抛光液的温度范围为5～25℃。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永成，
申请(专利权)人：上海致领半导体科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：