一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法技术

技术编号:41438025 阅读:24 留言:0更新日期:2024-05-28 20:32
本发明专利技术提供一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,涉及光刻技术领域。该种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,包括以下具体步骤:S1、选取原料:组合树脂、聚合单体、散射粒子、光引发剂、光稳定剂、增塑剂、乳酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、活性稀释剂和溶剂,按照重量份进行称取;S2、初步搅拌混合:将S1中的组合树脂、聚合单体、乳酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯和溶剂均加入小型混合搅拌机中,进行均匀搅拌,搅拌机转速控制98‑110r/min,搅拌3‑5min,搅拌完毕后静置5‑10min,得混合物。通过采用组合树脂、光稳定剂和增塑剂,减少制备过程中的变化和不确定性,同时,提高光刻胶的抗紫外线性能,延长光刻胶的使用寿命,保持其稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻,具体为一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法


技术介绍

1、光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、x射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂薄膜材料,由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体,光刻胶能够吸收外部光线,并转化成化学反应,常用的光刻胶通常能够感受到紫外线或可见光波长的光线,而光刻胶聚合组合物是由光刻胶单体通过聚合反应得到的高分子化合物,光刻胶聚合组合物是实际应用中的光刻胶材料,其特性包括悬浮性、黏度、溶解性等,影响着光刻胶在芯片制造过程中的表现,具有优异的成膜性能、附着性、耐化学性等,能够确保光刻胶在光刻过程中的稳定性和可靠性,同时,可以帮助实现微米级甚至纳米级的芯片制造工艺,并且不断进行研究和改进以满足不断变化的工艺需求。

2、现有光刻胶单体及其聚合组合物在进行制备过程中,光刻胶单体或聚合物在不同温度下可能表现出不同的性能,对温度变化较为敏感,导致光刻效果不稳定,并且,在光照条件下易发生反应,其光敏感性还可能受到环境光照、光源波长等因素影响,导致性能不稳定。

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【技术保护点】

1.一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:

2.根据权利要求1所述的一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于:所述S1中原料重量份为:组合树脂30-45份、聚合单体6-12份、散射粒子4-6份、光引发剂5-10份、光稳定剂4-8份、增塑剂5-12份、乳酸乙酯8-16份、丙二醇甲基醚乙酸酯6-12份、活性稀释剂4-6份和溶剂90-110份。

3.根据权利要求1所述的一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于:所述S2和S3中进行搅拌的温度为30-50℃。

4.根据权利要求1所述的一种光刻胶单体及其聚合组合...

【技术特征摘要】

1.一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:

2.根据权利要求1所述的一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于:所述s1中原料重量份为:组合树脂30-45份、聚合单体6-12份、散射粒子4-6份、光引发剂5-10份、光稳定剂4-8份、增塑剂5-12份、乳酸乙酯8-16份、丙二醇甲基醚乙酸酯6-12份、活性稀释剂4-6份和溶剂90-110份。

3.根据权利要求1所述的一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于:所述s2和s3中进行搅拌的温度为30-50℃。

4.根据权利要求1所述的一种光刻胶单体及其聚合组合物的制备方法,其特征在于:所述s5中的溶剂为丙...

【专利技术属性】
技术研发人员:王桥杨遇春刘启升卜江
申请(专利权)人:珠海市容大感光科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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