一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法技术

本发明专利技术一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法针对使用不同酸碱腐蚀药液，从而去除不同工艺的氮化膜，更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，从而降低了再生成本提高良率和产量。每一种药液与对氮化膜发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，整个流程对硅基底的腐蚀量小于2um，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法，通过使用不同腐蚀药液从而达到避免wafer硅基底过度损伤的前提下加快去除表面氮化膜的目的。

技术介绍

1、氮化硅由于绝缘性好、耐高温、散热好，使其被广泛应用于半导体器件中，常被用做掩膜。但晶片背面会存在氮化硅，氮化硅会加剧晶片的应力状况，甚至会造成晶片的破裂，由于晶片这层额外介质的存在，会影响热电偶对硅片温度的准确监控，给后续工艺带来困扰，影响晶片的使用效果。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法，去除晶圆表面氮化膜时，因为不同工艺原因可能在表面形成部分有机物质或者氮氧化物，此时使用hf对其直接进行腐蚀可能会影响腐蚀速度， hf之前使用混酸对其进行表面初步处理：

3、混酸溶液中，化学反应式如下所示：

4、si3n4+4hf+9h2o=本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法，其特征是：去除晶圆表面氮化膜时，因为不同工艺原因可能在表面形成部分有机物质或者氮氧化物，此时使用HF对其直接进行腐蚀可能会影响腐蚀速度， HF之前使用混酸对其进行表面初步处理：

【技术特征摘要】

1.一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法，其特征是：去除晶圆表面氮化膜时，因为不同工艺原因可能在表面形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，李顺，李林飞，韩五静，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：