一种二维1T相CrS2薄膜、其制备方法及其应用技术

本发明专利技术创新性的首次提供了一种二维1T相CrS<subgt;2</subgt;薄膜、其制备方法及其应用，所述的二维1T相CrS<subgt;2</subgt;薄膜为1T相结构，而不是2H相或1T’相结构或者其混合相结构；是连续的薄膜，而不是分立的晶畴；解决了现有技术不能制备均匀的、连续的1T相结构的CrS<subgt;2</subgt;的难题，填补了国内外对于相结构为1T相的二维CrS<subgt;2</subgt;材料的空缺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二维材料领域，具体涉及一种二维1t相crs2薄膜、其制备方法及其应用。

技术介绍

1、自2004年以来石墨烯的发现者获得诺贝尔奖以来，二维材料就成为了多个学科的研究热点，包括物理学科、材料学科、光电学科、集成电路学科等。在量子限域效应的作用下，二维层状材料如石墨烯、过渡金属硫族化合物(tmds)、h-bn、黑磷、硅烯等二维原子晶体层状材料，都展现出新奇和独特的物理特性，比如石墨烯的极高载流子迁移率和热导性能等，tmds的能谷、自旋电子态等物性，原子级平整的h-bn的电绝缘性，黑磷材料随层数变化的能隙可调性、各项异性、旋光性等，硅烯的量子自旋霍尔效应等。二维材料在信息、微纳电子等方面具有潜在的应用前景，对其特性进行操控，可开发出新型的电子学、光电子器件；二维材料的平面特征，使其更易于集成于现有的半导体工艺技术。

2、对于tmds，比如mos2或crs2，尽管其化学组成相同，但依据其原子排列结构不同，它们可以表现为2h、1t和1t’相，不同相结构的材料具有不同的能带结构，对应于不同的光、电、磁等性能。例如，对于二维的硫化铬材料，理论报本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维1T相CrS2薄膜，其特征在于，所述CrS2薄膜是连续的薄膜，且仅包含1T相结构，所述薄膜的面积不小于0.25mm2；

2.根据权利要求1所述的二维1T相CrS2薄膜，其特征在于，所述薄膜是单晶薄膜或多晶薄膜。

3.根据权利要求1所述的二维1T相CrS2薄膜，其特征在于，所述薄膜的厚度为1-50层单层二维1T相CrS2薄膜组成。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的二维1T相CrS2薄膜的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强的技术方法，尤其是在不高于650℃的温度下制备二维1T相CrS2薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种二维1t相crs2薄膜，其特征在于，所述crs2薄膜是连续的薄膜，且仅包含1t相结构，所述薄膜的面积不小于0.25mm2；

2.根据权利要求1所述的二维1t相crs2薄膜，其特征在于，所述薄膜是单晶薄膜或多晶薄膜。

3.根据权利要求1所述的二维1t相crs2薄膜，其特征在于，所述薄膜的厚度为1-50层单层二维1t相crs2薄膜组成。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的二维1t相crs2薄膜的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强的技术方法，尤其是在不高于650℃的温度下制备二维1t相crs2薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，具体步骤包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底选自绝缘材料、半导体材料、贵金属、石墨或石墨烯或二维过渡金属硫族化合物中的任意一种；优选的，所述半导体材料和所述绝缘材料选自zrb2、sic、sio2、bn、si3n4、hfo2、al2o3、蓝宝石、云母、氧化石墨烯、zno、mgo、si、ge、gan、gaas、inp中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明生，王雨微，肖涵，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：