【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别涉及一种碳化硅外延生长反应室。
技术介绍
1、碳化硅半导体具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延晶片。
2、外延炉是制备外延片的关键设备。对于外延炉，温度、气流分布均匀的洁净反应室是制备掺杂浓度均匀、低缺陷密度、高质量外延片的基础，而稳定的反应室是外延片批量生产的必要前提。影响反应室温度分布均匀性、洁净度和稳定性的因素有很多，其中反应室的保温石墨腔结构、表面材质、位置等都是重要参数，特别是s i c外延工艺时，反应室石墨发热体是否水平、石墨发热体与外保温层相对位置是否变化、外保温层包裹性等因素将直接影响反应室内部温场的分布，进而对工艺结果产生巨大影响。
3、目前，为了给反应室进行保温，通常在石墨发热体的外侧套设一层由石墨碳毡组成的外保温层，然后在石墨发热体的两端各设置一个保温端板，以实现对发热体进行保温。其中，...
【技术保护点】
1.一种碳化硅外延生长反应室，其特征在于，包括：半圆形的第一发热体(16)与第二发热体(17)，所述第一发热体与第二发热体的形状相互适应能够组成一个空心圆柱体，所述第二发热体(17)的内侧设有放置槽(20)，所述第一发热体(16)的一端外侧套接有第一连接板(12)，所述第二发热体(17)的一端外侧套接有第二连接板(13)，所述第一连接板(12)与第二连接板(13)上分别设有第一连接孔(18)与第二连接孔(19)，所述第一连接孔(18)与第二连接孔(19)分别活动连接第一连接轴(23)与第二连接轴(24)，所述第一连接轴(23)与第二连接轴(24)分别设置在第一端板(1...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延生长反应室，其特征在于，包括：半圆形的第一发热体(16)与第二发热体(17)，所述第一发热体与第二发热体的形状相互适应能够组成一个空心圆柱体，所述第二发热体(17)的内侧设有放置槽(20)，所述第一发热体(16)的一端外侧套接有第一连接板(12)，所述第二发热体(17)的一端外侧套接有第二连接板(13)，所述第一连接板(12)与第二连接板(13)上分别设有第一连接孔(18)与第二连接孔(19)，所述第一连接孔(18)与第二连接孔(19)分别活动连接第一连接轴(23)与第二连接轴(24)，所述第一连接轴(23)与第二连接轴(24)分别设置在第一端板(1)的一侧面的上半部分与下半部分，所述第一端板(1)设有第一安装槽(11)，所述第一安装槽(11)螺纹连接保温筒(8)，所述第一发热体(16)与第二发热体(17)位于保温筒(8)的内侧。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延生长反应室，其特征在于，所述第一发热体(16)底部设有连接槽(22)，所述第二发热体(17)的顶部设有与连接槽(22)配合的连接板(21)。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延生...
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