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本发明涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种碳化硅外延生长反应室，包括：第一发热体与第二发热体，所述第二发热体的内部的顶端设有放置槽，所述第一发热体外表面套接有第一连接板，所述第二发热体的外表面套接有第二连接板，所述第一连接板与第二连接板的端...
该专利属于中国计量大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国计量大学授权不得商用。

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