【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及温漂补偿，尤其是涉及一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路。
技术介绍
1、大多数低压带隙基准电路使用双极型晶体管作为核心元件，其正温度系数属于一阶系数，由基极-发射极电压差δvbe，即两个三极管(bjt)负载的比例电流密度产生；而负温度系数则由其基极-发射极电压vbe产生。通过将两个电压δvbe和vbe经过电阻r1和r2(r2＝r3)转换为两个电流ip和in，再经过电阻转化为一阶带隙基准电压。
2、该一阶带隙基准电路的输出电压呈开口向下的抛物线形状，其主要原因便是由于pn结中正向导通电压vbe的具有二阶负温度系数，而δvbe产生的正温度系数是一个固定的一阶正温度系数，导致基准电路产生误差。
3、综上，当前缺少一种带隙基准电路，以补偿温漂带来的误差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，以补偿温漂带来的误差。
2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：
3、...
【技术保护点】
1.一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述启动子电路包括第一电源MOS管、第二电源MOS管和电容，所述启动子电路的工作过程包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准子电路包括工作在电流求和模式下的banba型带隙基准源。
4.根据权利要求1所述的一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准子电路包括运算放大器、第一MOS管、第二MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第...
【技术特征摘要】
1.一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述启动子电路包括第一电源mos管、第二电源mos管和电容，所述启动子电路的工作过程包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准子电路包括工作在电流求和模式下的banba型带隙基准源。
4.根据权利要求1所述的一种曲率补偿的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准子电路包括运算放大器、第一mos管、第二mos管、第七mos管、第八mos管、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第五电阻，其中，所述运算放大器的输出端与所述第一mos管、第二mos管和第七mos管的栅极连接，所述运算放大器的反相输入端与所述第二电阻、所述第一mos管和所述第一晶体管的射极连接，所述运算放大器的同相输入端与所述第一电阻、所述第三电阻和所述第二mos管连接，所述第一电阻与所述第二晶体管的集电极连接，所述第七mos管与所述第八mos管和所述第五电阻连接。
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