全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开的本发明专利技术的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明专利技术的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列上，得到的复合光阳极在全光谱范围内可实现吸收，且复合光阳极光电流密度较高；并且具有合成条件温和，易于实现；对电子金属材料较好的光电化学阴极防护作用，特别是在暗态下表现出优异的防护效果，有望解决限制电子设备的“三防技术”的技术瓶颈。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光阳极及其对电子元器件中金属材料的光电阴极防护，具体涉及全光谱硅基复合光阳极阵列。本专利技术还涉及全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法。本专利技术再涉及全光谱硅基复合光阳极阵列的应用。

技术介绍

1、腐蚀问题是世界各国面临的重大工程难题。据估计，美国和欧洲每年由金属腐蚀造成平均损失分别高达1千亿美元和2千亿欧元(progress in organic coatings,2009,64,327)。2014年，中国工程院重大咨询项目“我国腐蚀状况及控制战略研究”，由中国科学院海洋研究所侯保荣院士任首席科学家、国内多家高校科研院所研究人员参与，针对交通运输和电子工业等30多个国民经济关键行业的腐蚀状况及其控制策略进行了全面、系统的调查。研究发现，2014年我国腐蚀成本为21278.2亿元，约占当年国内生产总值(gdp)的3.34％，即相当于我们每位公民当年承担的人均腐蚀成本为1555元(中国腐蚀成本，科学出版社，2017；npj materials degradation,2017,1,4)。如果通过腐蚀控制来减少0.1％的腐蚀成本的话，每年也能挽回本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.全光谱硅基复合光阳极阵列，其特征在于，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。

2.如权利要求1所述的全光谱硅基复合光阳极阵列，其特征在于，所述导电聚合物的涂层厚度为1微米。

3.如权利要求1所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1的镀银液中包括AgNO3和HF，AgNO3浓度为5～100mmol L-1，HF浓度为1～5mol L-1。

5.如权利要求3所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1...

【技术特征摘要】

1.全光谱硅基复合光阳极阵列，其特征在于，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。

2.如权利要求1所述的全光谱硅基复合光阳极阵列，其特征在于，所述导电聚合物的涂层厚度为1微米。

3.如权利要求1所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1的镀银液中包括agno3和hf，agno3浓度为5～100mmol l-1，hf浓度为1～5mol l-1。

5.如权利要求3所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1的腐蚀液中包括h2o2和hf，h2o2浓度为0.1～1mol l-1，hf浓度为1～5mol l-1。

6.如权利要求3所述的全光谱硅基复合光阳极阵列的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：白晓霞，黄嘉宁，刘关正，杨金霖，孙阗睿，马鑫，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：