一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构制造技术

技术编号:41411845 阅读:6 留言:0更新日期:2024-05-20 19:39
本技术属于电磁屏蔽材料技术领域,具体属于一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构。该电搭接结构包括搭接体与复合电磁屏蔽膜,搭接体由底部金属箔片、金属突刺、背胶组成,铺贴时复合电磁屏蔽膜树脂层处于软态,搭接体中的金属突刺可以穿透树脂层,与复合电磁屏蔽膜中的导电层连接,为使用复合电磁屏蔽膜提供一种固化前搭接,固化后内部导电层仍具有导电连通性的电搭接方法,以防止搭接处电磁泄露,保证电磁屏蔽的性能,树脂可以渗入搭接体与复合材料之间正常固化,具有较好的粘结性能。本技术操作简单,实用性强,能够有效防止搭接处电磁泄露,便于批量化生产,具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电磁屏蔽材料,具体属于一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构


技术介绍

1、近年来,随着通讯、电子、电气设备使用量的增加,形成复杂的电磁环境,电磁干扰不仅会引起电气设备的故障,还有可能导致信息泄露,损害电子设备的性能,电磁干扰屏蔽技术的研究日益受到重视,因此为了有效的控制电磁波和电磁射线的干扰,保障仪器仪表等精密电子设备的正常使用,越来越多的使用了高性能电磁屏蔽材料。

2、在航空航天、兵器、船舶等领域,大量使用了高性能蜂窝碳纤维复合材料,复合材料需要采用合适的固化工艺形成胶接结构件以满足结构件低密度、高强度以及结构整体性的使用需求,同时面对的电磁环境更为复杂,因此需要高性能的电磁屏蔽材料。

3、现有复合材料结构件电磁屏蔽方法是采用带有背胶的导电布在固化后的胶接结构件进行二次铺贴,以达到电磁屏蔽的作用,但现有铺贴方式需要二次加工,内里或不规则形状处人工贴附难度大,一致性难以保证,因为铺贴褶皱返工引起的巨大损耗;同时常规导电布采用压敏胶常温固化,耐环境性能差,长时间后电磁屏蔽性能可能会下降,寿命难以保证。而能够与复合材料能够共固化,同时具有良好电磁屏蔽性能、高强度、长寿命的材料只能是复合电磁屏蔽膜。

4、复合电磁屏蔽膜是内部含有一层或多层导电层结构,一般多采用金属网、金属箔、导电无纺布、碳纤维复合材料或碳纳米管复合材料等,通过导电层的吸收损耗和反射衰减来起到电磁屏蔽的作用,外层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺树脂等,形成多层复合结构体。铺贴时由于模具的结构设计、胶膜尺寸、形状等需要进行裁剪搭接,胶膜外层常用树脂一般是绝缘材料,固化前的普通的搭接使得胶膜内部导电层包裹在绝缘树脂内部,无法进行连接,树脂在固化后具有较高的剪切强度和剥离强度,硬度较大,固化后很难进行二次搭接,这样就会导致搭接处导电层无法连接,而电磁信号可以通过搭接处导电层缝隙泄露到外界,这样就会导致搭接处电磁泄露,造成不良影响及危害。

5、传统的铜网电搭接需要将固化前的复合电磁屏蔽膜中的铜网与胶膜分离,采用铜丝与两侧的铜网编织连接,由于铜网极细,分离时极易损坏,编织操作复杂,效率低;而固化后复合材料铜网电搭接需要对铜网进行打磨以达到除去树脂绝缘层的目的,由于铜网极细,往往会将铜网打磨掉,造成电路连接不畅,如果打磨不到位,又极易造成后续复合材料电搭接性能不合格,但此种电搭接方法操作极为困难,效率低。而对于导电无纺布、碳纤维材料或碳纳米管材料等导电结构的电搭接,以上操作方式更为困难,暂未有适合的电搭接方法。

6、在中国专利[202211283152.2]中公开了一种提升胶膜复合铜网电搭接性能的连接方法,通过对去除胶膜复合铜网在电搭接区域的胶膜,对去除胶膜的区域进行清洗,然后焊接铜片与铜网,以起到电搭接的作用,但此方法操作较为复杂,铜网容易遭到破坏,效率低,且需要用到大量溶剂,成本较高,同时对操作人员及环境有伤害。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本技术提供了一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构。该电搭接结构包括搭接体与复合电磁屏蔽膜,搭接体由底部金属箔片、金属突刺、背胶组成,铺贴时复合电磁屏蔽膜树脂层处于软态,搭接体中的金属突刺穿透树脂层,与复合电磁屏蔽膜中的导电层连接,为使用复合电磁屏蔽膜提供一种固化前搭接,固化后内部仍具有导电连通性的方法,以防止搭接处电磁泄露,保证电磁屏蔽的性能。

2、本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

3、依据本技术提出的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,所述的该电搭接结构包括搭接体与复合电磁屏蔽膜,复合电磁屏蔽膜为含有树脂层和导电层的复合材料,采用搭接体对两块复合电磁屏蔽膜进行搭接,搭接体由底部金属箔片、金属突刺、背胶组成。

4、优选的,前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺树脂,所述导电层为一层或多层导电层结构,其材质为金属网、金属箔、导电无纺布、碳纤维复合材料、碳纳米管材料之一或其混合物。

5、优选的,前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述搭接体材质为铝,铜,银,金,镍,铁导电金属材质之一。

6、优选的,前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述搭接体底部为一金属箔片,厚度5-500μm,更优选为20-200μm,金属箔片上有纵向或横向规律排列的单列或多列金属突刺,金属突刺间的金属箔片上有规律排列的单列或多列孔洞。

7、优选的,前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述金属突刺为圆锥体、三角体形状,金属突刺顶端截面积小于底端截面积,金属突刺顶端截面积小于导电层结构网孔截面积。

8、优选的,前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述金属突刺高度大于一层复合电磁屏蔽膜的厚度,小于两层复合电磁屏蔽膜的厚度。

9、优选的,前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述背胶材质为丙烯酸树脂、聚氨酯树脂之一,背胶厚度5-200μm,更优选为20-100μm,背胶上有与金属箔片上相同的规律排列的单列或多列孔洞。

10、优选的,前述的前述的复合电磁屏蔽膜电搭接结构中,其中所述的搭接体由铸造、粉末冶金、3d打印之一加工方式制得。

11、有益效果

12、本技术提供一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,该电搭接结构包括搭接体与复合电磁屏蔽膜,在复合电磁屏蔽膜与胶接结构件共固化前进行电搭接,连通内部导电层,固化后内部导电层结构仍具有导电连通性,以防止搭接处电磁泄露,保证电磁屏蔽性能,树脂可以渗入搭接体与复合材料之间正常固化,具有较好的粘结性能。本技术操作简单,实用性强,能够有效防止搭接处电磁泄露,便于批量化生产,具有广泛的应用前景。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:该电搭接结构包括搭接体与复合电磁屏蔽膜,复合电磁屏蔽膜为含有树脂层和导电层的复合材料,采用搭接体对两块不连续的复合电磁屏蔽膜进行电搭接,搭接体由底部金属箔片、金属突刺、背胶组成。

2.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺树脂,导电层为一层或多层导电层结构,其材质为金属网、金属箔、导电无纺布、碳纤维材料、碳纳米管材料之一或其混合物。

3.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:搭接体材质为铝,铜,银,金,镍,铁金属材质之一。

4.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:搭接体底部为一金属箔片,厚度5-500μm,金属箔片上有纵向或横向规律排列的单列或多列金属突刺,金属突刺间的金属箔片上有规律排列的单列或多列孔洞。

5.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:金属突刺为圆锥体、三角体形状,金属突刺顶端截面积小于底端截面积,金属突刺顶端截面积小于导电层结构网孔截面积。

6.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:金属突刺高度大于一层复合电磁屏蔽膜的厚度,小于两层复合电磁屏蔽膜的厚度。

7.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:背胶材质为丙烯酸树脂、聚氨酯树脂之一,背胶厚度5-100μm,背胶上有与金属箔片上相同的规律排列的单列或多列孔洞。

8.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:搭接体由铸造、粉末冶金、3D打印之一加工方式制得。

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【技术特征摘要】

1.一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:该电搭接结构包括搭接体与复合电磁屏蔽膜,复合电磁屏蔽膜为含有树脂层和导电层的复合材料,采用搭接体对两块不连续的复合电磁屏蔽膜进行电搭接,搭接体由底部金属箔片、金属突刺、背胶组成。

2.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺树脂,导电层为一层或多层导电层结构,其材质为金属网、金属箔、导电无纺布、碳纤维材料、碳纳米管材料之一或其混合物。

3.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:搭接体材质为铝,铜,银,金,镍,铁金属材质之一。

4.如权利要求1所述的一种复合电磁屏蔽膜电搭接结构,其特征在于:搭接体底部为一金属箔片,厚度5-500μm,金属箔片上有纵向或横向规律...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭锐晖公言飞柳林张旭阳孙殿星赵建军薛参
申请(专利权)人:青岛九维华盾科技研究院有限公司
类型:新型
国别省市:

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