图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及图像传感器的制造方法，该图像传感器包括：多个光电转换单元，形成在半导体基板中限定的有源区域内；以及多个光导，具有将来自外部光源的入射光引导到半导体基板上的结构，并且该多个光电转换单元、该光导具有不同的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示范性实施例涉及图像传感器，更具体地，涉及互补金属氧化物半导体 (CMOS)。
技术介绍
图像传感器是将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通讯工业的近期发 展，各种应用，诸如数字照相机、摄录像机、个人通讯系统(PCS)、游戏机(game player)、安 防照相机、医学微型照相机和机器人，对具有改善性能的CMOS图像传感器的需求在增加。 CMOS图像传感器可以包括感应外部入射光的光敏二极管(photo diode)和将感 应光转换成电信号并且将电信号数字化的电路。随着光敏二极管接收光量的增加，CMOS图 像传感器的光学灵敏度增加。CMOS图像传感器可以包括多个光敏二极管，形成在半导体 基板上；多个滤色器，对应于光敏二极管形成以便通过特定波长段(例如，带宽)的光；以 及多个透镜，形成为对应于滤色器。 外部入射到CMOS图像传感器的光可以由透镜聚集，由滤色器滤波，并且落在对应 于该滤色器的光敏二极管上。CMOS图像传感器包括设置在滤色器和光敏二极管之间的光 导。光导引导从外部光源经由透镜入射的光，并且该光通过滤色器落在对应于该滤色器的 光敏二极管上。 在传统的CM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：多个光电转换单元，在基板中；以及多个光导，在所述多个光电转换单元上，所述多个光导构造为将来自所述基板外部的外部光源的入射光引导到所述多个光电转换单元，所述多个光导的至少两个具有不同的宽度。

【技术特征摘要】
KR 2008-11-21 116284/08一种图像传感器，包括多个光电转换单元，在基板中；以及多个光导，在所述多个光电转换单元上，所述多个光导构造为将来自所述基板外部的外部光源的入射光引导到所述多个光电转换单元，所述多个光导的至少两个具有不同的宽度。2. 如权利要求l所述的图像传感器，其中所述多个光导的每个具有不同的宽度，并且 包括光导材料，而且所述不同的宽度基于所述光导材料的折射率。3. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述不同的宽度基于所述入射光的一个或多 个特性。4. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个光导的每个都对应于所述多个光电 转换单元中不同的一个，并且所述多个光导构造为全反射所述入射光至少一次，使得从所述外部光源入射到所述多 个光导之一上的光不到达所述光电转换单元中非对应的光电转换单元。5. 如权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述多个光电转换单元上的电介质层结 构，所述电介质层结构包括至少一层，所述电介质层结构包括由所述多个光导填充的多个 开口区域，所述多个开口区域的每个对应于且面对所述多个光电转换单元之一，所述多个 开口区域中的至少两个具有不同的宽度。6. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个光导包括氧化物基材料。7. 如权利要求1所述的图像传感器，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：安正采，郑泰燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]