光学电压测量设备制造技术

提供了一种光学电压测量设备，其包括主电路导体（１），绝缘地支撑主电路导体（１）并固定到接地构件（３）的电介质体（４），掩埋在电介质体（４）中的掩埋电极（６），以及连接到掩埋电极（６）并测量主电路导体（１）的电压的电光元件（２０），其中，将由主电路导体（１）和掩埋电极（６）之间生成的静电电容与掩埋电极（６）和接地构件（３）之间生成的静电电容之间的静电电容比所分的电压施加到电光元件（２０）。

【技术实现步骤摘要】
光学电压测量设备
技术介绍
本专利技术涉及一种能够改善开关装置主电路电压测量精度的光学电压测 量设备，所述开关装置例如用在发电站/变电站中。在几千伏或更高压的高压开关装置中，通过静电电容分压或电阻分压 来测量主电路电压。在这种测量装置中，已知有一种锥形的绝缘隔片，这 种绝缘隔片用在如图1所示的气体绝缘开关装置中(例如，参见日本专利申请特许公开文本No. 2000-232719 (第4页，图l))。如图1所示，主电路导体1由锥形绝缘隔片2支撑，并与处于地电势 的圆柱形箱3绝缘。绝缘隔片2由第一电介质体4和第二电介质体5构成， 第一电介质体4通过注射环氧树脂形成，第二电介质体5的电阻率比第一 电介质体4低，并以层状形成于第一电介质体4的表面上。环形掩埋电极6 掩埋在箱3 —侧上的第一电介质体4中。在外围端部的两端设置环形掩埋 金属7，环形掩埋金属气密地固定到箱3的端部。次级侧电容器8连接到掩埋电极6，掩埋电极6经由掩埋金属7接地。 检测阻抗9与次级侧电容器8并联。初级侧静电电容10和第二电介质体5 旁边的初级侧体电阻11形成于主电路导体1和掩埋电极6之间。由此，可以测量到由初级侧静电电容10和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学电压测量设备，其特征在于包括：　主电路导体；　电介质体，其绝缘地支撑所述主电路导体并固定到接地构件；　掩埋在所述电介质体中的掩埋电极；以及　电光元件，其连接到所述掩埋电极并测量所述主电路导体的电压，　其中，将通过所述主电路 导体和所述掩埋电极之间生成的静电电容与所述掩埋电极和所述接地构件之间生成的静电电容之间的静电电容比所分的电压施加到所述电光元件。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-11 233941/20081、一种光学电压测量设备，其特征在于包括主电路导体；电介质体，其绝缘地支撑所述主电路导体并固定到接地构件；掩埋在所述电介质体中的掩埋电极；以及电光元件，其连接到所述掩埋电极并测量所述主电路导体的电压，其中，将通过所述主电路导体和所述掩埋电极之间生成的静电电容与所述掩埋电极和所述接地构件之间生成的静电电容之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥正雄，佐藤纯一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]