【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体材料，涉及一种均光闪烁阵列及其制备方法。
技术介绍
1、pet探测器一般是由闪烁晶体与光电倍增管(位置灵敏型光电倍增管或半导体器件)耦合而成。正电子发射型计算机断层显像，是核医学领域比较先进的临床检查影像技术。其大致方法是，将某种物质，一般是生物生命代谢中必须的物质，标记上短寿命的放射性核素，注入人体后，通过对于该物质在代谢中的聚集，来反映生命代谢活动的情况，从而达到诊断的目的。造影成像探测器是该技术的技术核心之一，现有造影成像探测器的闪烁晶体阵列反射率不佳、光子收集性能不好、使得分辨率较低，无法进行高精度、高分辨率的成像，给医生读片造成困难。
2、闪烁晶体阵列，属于闪烁阵列探测器模块类别，主要应用于核医学成像设备，是正电子发射型计算机断层成像设备(pet)的核心部件之一。为了提高pet设备的成像质量(如清晰度、空间分辨率、扫描时间等)，常常要求闪烁晶体阵列中的晶元具有较大的光输出以及能量分辨率等特点，尤其是阵列中各个晶元间的反射材料在晶元的发光光谱范围内具有良好的反射率，避免光串扰。但是现有商业使得闪烁体阵列中具有像素点光强分布不均匀的现象，使得闪烁阵列不同像素点之间的光输出差异大，容易导致检测准确性和稳定性下降。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术存在的上述问题，提出了一种像素点光强分布均匀的均光闪烁阵列。
2、本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种均光闪烁阵列，均光闪烁阵列包括阵列基材和阵列基材表面的均化膜，其中
3、在上述的一种均光闪烁阵列中，均化膜厚度为0.05um-1000um。
4、作为优选，均化膜厚度为0.5-2um。本专利技术需要严格控制均化膜厚度，均化膜厚度过薄起不到均光效果，厚度过厚又会导致对光强削弱过多，即使达到均光效果也会大大降低阵列综合性能。
5、在上述的一种均光闪烁阵列中，阵列基材包括闪烁陶瓷阵列和闪烁晶体阵列中的至少一种。
6、作为优选，闪烁陶瓷阵列包括gagg:ce(铈掺杂钆铝镓石榴石)闪烁陶瓷阵列、luag:ce(铈掺杂镥铝石榴石)闪烁陶瓷阵列、luyag:pr(镨掺杂钇/镥铝石榴石)闪烁陶瓷阵列、yag:ce(钇铝石榴石)闪烁陶瓷阵列、gos:pr,ce(镨,铈掺杂氧硫化钆)闪烁陶瓷阵列中的至少一种。
7、作为优选，闪烁晶体阵列包括csi:ti(铊掺杂碘化铯)闪烁体阵列、csna:ti(铊掺杂碘化钠)闪烁体阵列、lyso(硅酸钇镥)闪烁体阵列、labr3:ce(铈掺杂溴化镧)闪烁体阵列、bgo(锗酸铋)闪烁体阵列、cwo(钨酸镉)闪烁体阵列、zns:ag(银掺杂硫化锌)闪烁体阵列中的至少一种。
8、在上述的一种均光闪烁阵列中，有机光致变色化合物包括二芳基乙烯化合物、偶氮苯类化合物、螺吡喃类化合物、六芳基二咪唑基类化合物中的至少一种。
9、作为优选，有机光致变色化合物为二芳基乙烯化合物。
10、作为优选，二芳基乙烯化合物包括二芳基萘并吡喃、二芳基苯并噻吩中的至少一种。
11、本专利技术利用有机光致变色化合物易溶的特点，不仅使得旋涂成膜的效率得到提高，而且可以大大提升阵列均光效果。
12、在上述的一种均光闪烁阵列中，有机溶剂包括甲苯、乙酸甲酯、丙酮、四氢呋喃和dmf中的至少一种。
13、其中dmf为n,n-二甲基甲酰胺。
14、在上述的一种均光闪烁阵列中，有机光学薄膜材料包括pmma、pet、tac、pc中的至少一种。
15、其中pmma为聚甲基丙烯酸甲酯；pet为聚对苯二甲酸乙二醇酯；tac为三醋酸纤维薄膜；pc为聚碳酸酯。
16、本专利技术还提供了一种上述均光闪烁阵列的制备方法，所述方法包括如下步骤：
17、s1、配置上所述原料；
18、s2、将有机溶剂、有机光学薄膜材料、有机光致变色化合物均匀搅拌得混合液，然后旋涂于阵列基材表面，最后进行退火处理。
19、在上述的一种均光闪烁阵列的制备方法中，旋涂转速为450-550r/min，旋涂时间为5-15s，然后转速提升至1800-2300r/min，旋涂时间为35-45s。
20、在上述的一种均光闪烁阵列的制备方法中，退火温度为40-60℃，时间为2.5-3.5h。
21、作为优选，阵列基材在旋涂前需进行精打磨处理。本专利技术阵列基材在经过精打磨后在满足光产额均大于600的情况下，还满足阵列颗粒间光产额差小于±1％。
22、本专利技术还提供一种放射线检测器，包括上述均光闪烁阵列。
23、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
24、本专利技术制备的一种成本低，制作方便的阵列均化膜，涂附在阵列出光面，通过均化膜对强光强衰减，弱光弱衰减以拉平不同像素阵列的光输出，从而减小不同像素阵列光输出的信号差异，提高产品合格率。
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1.一种均光闪烁阵列，其特征在于，均光闪烁阵列包括阵列基材和阵列基材表面的均化膜，其中均化膜包括如下质量份数的原料：80-90份有机溶剂、5-15份有机光学薄膜材料、0.05-0.2份有机光致变色化合物。
2.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，均化膜厚度为0.05um-1000um。
3.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，阵列基材包括闪烁陶瓷阵列和闪烁晶体阵列中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，有机光致变色化合物包括二芳基乙烯化合物、偶氮苯类化合物、螺吡喃类化合物、六芳基二咪唑基类化合物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，有机溶剂包括甲苯、乙酸甲酯、丙酮、四氢呋喃和DMF中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，有机光学薄膜材料包括PMMA、PET、TAC、PC中的至少一种。
7.一种如权利要求1所述均光闪烁阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
8.根据权利
9.根据权利要求7所述的一种均光闪烁阵列的制备方法，其特征在于，退火温度为40-60℃，时间为2.5-3.5h。
10.一种放射线检测器，其特征在于，包括权利要求1所述均光闪烁阵列。
...【技术特征摘要】
1.一种均光闪烁阵列，其特征在于，均光闪烁阵列包括阵列基材和阵列基材表面的均化膜，其中均化膜包括如下质量份数的原料：80-90份有机溶剂、5-15份有机光学薄膜材料、0.05-0.2份有机光致变色化合物。
2.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，均化膜厚度为0.05um-1000um。
3.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，阵列基材包括闪烁陶瓷阵列和闪烁晶体阵列中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，有机光致变色化合物包括二芳基乙烯化合物、偶氮苯类化合物、螺吡喃类化合物、六芳基二咪唑基类化合物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种均光闪烁阵列，其特征在于，有机溶剂包括甲...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦海明，王新佳，陈筱，曾榆斌，高方浦，
申请(专利权)人：宁波虔东科浩光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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