一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法技术

本发明专利技术提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路板上还设有连接阳极面与贴片电容正极的通路，所述贴片电容的负极与阴极面连接。本发明专利技术使用特制的PCB电路板替代芯片，在保证封装结构、电学回路不变的前提下，令电容值已知且精确，从而提高结果的准确程度，测试无需完整产品，方法简便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件封装，特别涉及一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法。

技术介绍

1、功率半导体芯片具有开关迅速的优点，将大量芯片并联后，能在微秒甚至纳秒的时间尺度上开断百安培甚至千安培电流，大di/dt工况条件对回路的杂散电感参数提出了严苛的要求，杂散电感过大将产生有害的电压尖峰，因此杂散电感是决定芯片封装是否满足工况需求的关键指标之一，在芯片封装的开发与迭代过程中，对杂散电感参数进行验证是必不可少的。

2、目前的封装杂散参数测试方法主要包括脉冲放电法和幅频特性法，对于两种方法，主要有以下特点：

3、1.脉冲放电法，将被测器件连接进电容放电电路，测量器件开通关断时的器件两端电压、电流波形，通过基本物理关系的微分或积分形式，计算拟合得到电感参数。

4、2.幅频特性法，如图1所示的现有技术中的封装结构的等效电路图，电阻r为杂散电阻，具体指封装通流路径上所有材料的体电阻和连接面的接触电阻之和，如常见的igbt模块封装，阳极端子到阴极端子整个导电路径上的电阻。封装杂散电感与芯片电容构成lc串联，具有特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；

2.根据权利要求1所述的一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述PCB电路板的另一面包括两个区域，其中一个区域为阴极面，且该区域为凹槽状；另一个区域为电容区域，且电容区域设有所述通路。

3.根据权利要求2所述的一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述电容区域还设有与通路电连接的阳极焊盘和阴极焊盘，其中，

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种提...

【技术特征摘要】

1.一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述芯片替代结构包括pcb电路板，所述pcb电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述pcb电路板上焊接有已知容值的贴片电容；

2.根据权利要求1所述的一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述pcb电路板的另一面包括两个区域，其中一个区域为阴极面，且该区域为凹槽状；另一个区域为电容区域，且电容区域设有所述通路。

3.根据权利要求2所述的一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述电容区域还设有与通路电连接的阳极焊盘和阴极焊盘，其中，

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述阴极面上连接有电连接件。

5.根据权利要求1-3任一项所述的一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构，其中，所述芯片替代结构还包括pcb接口转接片，用于将封装中的金属端子接口，转为同轴电缆接口。

6.一种基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锦鹏，刘佳鹏，曾嵘，沈箫童，孟令尧，陈政宇，黄琦欢，马建业，武靖博，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：