【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件测试，特别是涉及一种半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置及测试方法。
技术介绍
1、半导体技术一直是推动电力电子行业发展的决定性力量。功率硅器件(si)的应用已经相当成熟，但随着日益增长的行业需求，硅器件由于其本身物理特性的限制，已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。
2、碳化硅(sic)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。与si材料相比，sic材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了sic器件的高击穿场强和高工作温度。尤其在sic mosfet的开发与应用方面，与相同功率等级的simosfet相比，sic mosfet导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另外，sicmosfet还具有高温工作特性。
3、sic mosfet一般应用在高温、高压、高频等复杂的环境，但因sic高界面态密度，会导致阈值电压(vth)漂移的问题，对应用造成严重的影响。因此，设计一套装置用于对sicmosfet的阈值电压可靠性进行测试研...
【技术保护点】
1.一种半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：
2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括：测温模块，设置于所述待测器件和所述加温模块之间，其输出端连接所述控制与人机交互模块，用于反馈所述待测器件的温度值。
3.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述待测模块包括待测器件、第一开关、第二开关及第三开关，所述待测器件的控制端连接所述隔离驱动模块的输出端，第一端通过所述第一开关连接控制端，第二端连接所述第二开关及所述第三开关的第一端，所述第二开关的第二端作为所述待测模块的第一输出端，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：
2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括：测温模块，设置于所述待测器件和所述加温模块之间，其输出端连接所述控制与人机交互模块，用于反馈所述待测器件的温度值。
3.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述待测模块包括待测器件、第一开关、第二开关及第三开关，所述待测器件的控制端连接所述隔离驱动模块的输出端，第一端通过所述第一开关连接控制端，第二端连接所述第二开关及所述第三开关的第一端，所述第二开关的第二端作为所述待测模块的第一输出端，所述第三开关的第二端作为所述待测模块的第二输出端；其中，所述第一开关、所述第二开关及所述第三开关受控于所述控制与人机交互模块。
4.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述异常比较模块包括：第一电阻及第一比较器，所述第一电阻的第一端连接所述待测模块的第一输出端并连接所述第一比较器的第一输入端，第二端接地；所述第一比较器的第二输入端连接设定电压，输出端作为所述异常比较模块的输出端。
5.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述阈值比较模块包括：信号放大器、第二比较器、第二电阻、第三电阻及第四电阻，所述第二电阻的第一端连接所述待测模块的第二输出端并连接所述信号放大器的第一输入端，第二端接地；所述信号放大器的第二输入端连...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐丹丹，丁继，唐开锋，马荣耀，赵伟能，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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