一种新型低相移射频衰减器电路、附加相位误差消除电路及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种新型低相移射频衰减器电路、附加相位误差消除电路及系统，包括：衰减器电路、附加相位误差消除电路和数字控制电路；附加相位误差消除电路与衰减器电路的RF信号的输出端连接；数字控制电路用于根据检测到的附加相位误差结果，产生衰减器控制码和相位控制码；衰减器电路用于基于来自数字控制电路的衰减器控制码，调节衰减器的衰减输出幅度；附加相位误差消除电路用于基于来自数字控制电路的相位控制码，进行相位补偿；本发明专利技术将附加相位误差消除电路放置于衰减器电路之外，并和数字控制电路配合，解决了传统数字衰减器参考状态和衰减状态之间引入的附加相位误差较大的问题，且不会因为附加相位误差消除电路导致衰减器的衰减精度和信号插损恶化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子电路设计，具体涉及一种新型低相移射频衰减器电路、附加相位误差消除电路及系统。

技术介绍

1、无线数字通信的发展使得手机、wifi、路由等通信方式成为主流。无线通信摒弃传统有线通信的诸多弊端，比如复杂的布线、数据保密度低等，无线通信已经成为通信研究的热点。其中无线通信的射频收发机一直是无线通信的核心模组。而射频(rf)衰减器更是其中的关键电路。射频衰减器可用于控制电子信号的振幅，进而控制整个射频系统的增益。

2、射频衰减器用以控制(衰减)射频信号的幅度，保证在任何通信场景射频系统的信号强度恒定。所以，射频衰减器的性能对整个射频系统起着至关重要的作用。在射频系统中，为保证幅度控制的范围足够大，一般情况会要求10多db到30多db的衰减范围，并可根据系统要求选择衰减值。例如，31db衰减范围，则可根据系统需求，选择衰减0db，1db一直到31db。按照衰减是否可以连续可调，衰减器器通常可以分为模拟式以及数字式两种。模拟式衰减器通过控制模拟电压，可以得到0～31db中的任意衰减量。但模拟信号易受干扰，受到外部影环境响较大。数字式通过开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型低相移射频衰减器电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一电容和第二电容；所述第三电阻的一端与RF信号的输入端连接，第三电阻的另一端与RF信号的输出端连接；所述第一场效应晶体管的源极与RF信号的输入端连接，第一场效应晶体管的漏极与RF信号的输出端连接，第一场效应晶体管M1的栅极接入外界电压；第一电阻的一端与RF信号的输入端连接，第一电阻的另一端与第二场效应晶体管的漏极连接，第二场效应晶体管的源极接地，第二电阻的一端与RF信号的输出端连接，第二电阻的另一端与第三场效应晶体管的漏极连接，第三场效应晶体管的源极接地...

【技术特征摘要】

1.一种新型低相移射频衰减器电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一电容和第二电容；所述第三电阻的一端与rf信号的输入端连接，第三电阻的另一端与rf信号的输出端连接；所述第一场效应晶体管的源极与rf信号的输入端连接，第一场效应晶体管的漏极与rf信号的输出端连接，第一场效应晶体管m1的栅极接入外界电压；第一电阻的一端与rf信号的输入端连接，第一电阻的另一端与第二场效应晶体管的漏极连接，第二场效应晶体管的源极接地，第二电阻的一端与rf信号的输出端连接，第二电阻的另一端与第三场效应晶体管的漏极连接，第三场效应晶体管的源极接地，第二场效应晶体管的栅极与第三场效应晶体管的栅极均接入外界电压；所述第一电容并联在第一电阻的两端，第二电容并联在第二电阻的两端。

2.一种附加相位误差消除电路结构，其特征在于：包括2个串联的第四电阻和多条并联的接地支路，每条所述接地支路均包括一支路电容和一第四场效应晶体管，所述支路电容的一端接入两个第四电阻的连接点，该支路电容的另一端与第四场效应晶体管的漏极连接，第四场效应晶体管的源极接地，第四场效应晶体管的栅极用于接收外部控制信号。

3.一种附加相位误差消除电路结构，其特征在于：包括2个串联的第五电阻和接地支路，所述接地支路包括一可变电容，所述可变电容的一端接入两个第五电阻的连接点，该可变电容的另一端接地。

4.一种具有附加相位误差消除功能的衰减器系统，其特征在于：包括：衰减器电路、附加相位误差消除电路和数字控制电路；所述附加相位误差消除电路与衰减器电路的rf信号的输出端连接；

5.根据权利要求4所述的一种具有附加相位误差消除功能的衰减器系统，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄家乐，诸小胜，关允超，李治，王永利，夏剑平，
申请(专利权)人：思诺威科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：