【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体涉及一种半导体器件、存储器及存储系统。
技术介绍
1、近些年，在动态随机存储器中，电容结构的尺寸对总体电容值影响较大，如何增大总体电容值是技术人员的研究课题。
2、因此，亟需一种半导体器件、存储器及存储系统以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体器件、存储器及存储系统，可以增大目前半导体器件的总体电容值。
2、本申请提供一种半导体器件，包括：
3、有源层，包括阵列排布且间隔设置的多个有源单元，所述有源层包括位于所述有源单元两端的第一侧和第二侧；
4、位线层，包括第一位线子层和第二位线子层，所述第一位线子层设置于所述有源层的所述第一侧，所述第二位线子层设置于所述有源层的所述第二侧，且分别与所述有源单元连接；
5、多个电容结构，设置于所述有源层的所述第一侧和所述第二侧，且分别与所述有源单元连接。
6、在一些实施例中，所述第一位线子层包括第一位线，所述第二位线子层包括第二位线，所述第一位线的延伸方向和所述第二位线的延伸方向平行；其中，所述第一位线在所述有源层上的正投影与所述第二位线在所述有源层上的正投影非重叠设置。
7、在一些实施例中，所述第一位线在所述有源层上的正投影与所述第二位线在所述有源层上的正投影交替设置。
8、在一些实施例中，所述有源单元包括第一有源柱与第二有源柱，所述第一有源柱与所述第一位线连接，所述第二有源柱与所述第二位线连接；所述电
9、在一些实施例中，所述第一电容单元包括第一子单元与第二子单元；所述第一子单元包括第一接触塞、第一引线部和第一电容部，所述第一接触塞与所述第一有源柱接触连接，所述第一电容部通过所述第一引线部与所述第一接触塞连接；所述第二子单元包括第二接触塞和第二电容部，所述第二接触塞与所述第一有源柱接触连接，所述第二电容部通过所述第二接触塞与所述第一有源柱连接。
10、在一些实施例中，所述第二电容单元包括第三子单元与第四子单元；所述第三子单元包括第三接触塞、第二引线部和第三电容部，所述第三接触塞与所述第二有源柱接触连接，所述第三电容部通过所述第二引线部与所述第三接触塞连接；所述第四子单元包括第四接触塞和第四电容部，所述第四接触塞与所述第二有源柱接触连接，所述第四电容部通过所述第四接触塞与所述第二有源柱连接。
11、在一些实施例中，在所述第一位线子层和所述第二位线子层在所述有源层上的正投影中，各所述第一位线对应的各所述第一引线部的引出方向相同，各所述第二位线对应的各所述第二引线部的引出方向相同，所述第一位线对应的所述第一引线部的引出方向，与相邻所述第二位线对应的所述第二引线部的引出方向相反。
12、在一些实施例中，所述第一电容单元在所述有源层上的正投影与所述第一位线和所述第二位线在所述有源层上的正投影均有重叠；所述第二电容单元在所述有源层上的正投影与所述第一位线和所述第二位线在所述有源层上的正投影均有重叠。
13、在一些实施例中，所述第一电容单元包括第五电容部和第五接触塞，所述第五接触塞与所述第一有源柱接触连接，所述第五电容部向相邻所述第一位线的方向扩展，所述第五电容部的扩展方向与所述第一位线的延伸方向垂直；所述第二电容单元包括第六电容部和第六接触塞，所述第六接触塞与所述第二有源柱接触连接，所述第六电容部向相邻所述第二位线的方向扩展，所述第六电容部的扩展方向与所述第二位线的延伸方向垂直。
14、在一些实施例中，所述第五电容部包括与所述第五接触塞连接的第一端及远离所述第五接触塞的第二端，所述第六电容部包括与所述第六接触塞连接的第三端及远离所述第六接触塞的第四端；所述电容结构在所述有源层上的正投影中，所述第一端至所述第二端的方向为第一扩展方向，所述第三端至所述第四端的方向为第二扩展方向；其中，同一所述第一位线对应的相邻两个所述第一电容单元的第一扩展方向相同，同一所述第二位线对应的相邻两个所述第二电容单元的第二扩展方向相同；或者，其中，同一所述第一位线对应的相邻两个所述第一电容单元的第一扩展方向相反，同一所述第二位线对应的相邻两个所述第二电容单元的第二扩展方向相反。
15、在一些实施例中，所述电容结构和所述位线层在所述有源层上的正投影中，所述第一电容单元在垂直于所述第一位线的方向上的尺寸大于所述第一电容单元在平行于所述第一位线的方向上的尺寸，所述第二电容单元在垂直于所述第二位线的方向上的尺寸大于所述第二电容单元在平行于所述第二位线的方向上的尺寸。
16、在一些实施例中，所述第一位线子层包括第一位线组，所述第一位线组的延伸方向为第一方向，沿所述第一方向交错排列的两列所述有源单元对应一所述第一位线组；所述第二位线子层包括第二位线组，所述第二位线组的延伸方向为所述第一方向，沿所述第一方向交错排列的两列所述有源单元对应一所述第二位线组。
17、在一些实施例中，所述第一位线组在所述有源层上的正投影与所述第二位线组在所述有源层上的正投影重叠设置。
18、在一些实施例中，所述第一位线组包括第一绝缘部和设置于所述第一绝缘部与所述有源层之间的第一导体部；所述第二位线组包括第二绝缘部和设置于所述第二绝缘部与所述有源层之间的第二导体部；其中，连接于所述第一导体部的所述有源单元，与连接于所述第二导体部的所述有源单元相异。
19、在一些实施例中，所述电容结构包括电容部件和接触塞部，所述接触塞部设置于所述位线层内，所述接触塞部包括接触导电子部和位于所述接触导电子部与所述位线层之间的接触绝缘子部，所述电容部件通过所述接触导电子部与所述有源单元接触连接。
20、在一些实施例中，所述有源单元包括第一有源柱与第二有源柱，所述第一有源柱与所述第一位线组连接，所述第二有源柱与所述第二位线组连接；所述电容部件包括第七电容部与第八电容部；其中，所述第七电容部设置于所述有源层的所述第二侧，所述第八电容部设置于所述有源层的所述第一侧，所述第七电容部与所述第一有源柱连接，所述第八电容部与所述第二有源柱连接。
21、在一些实施例中，与所述第一位线组的延伸方向垂直的方向为第二方向，所述第一有源柱和所述第二有源柱沿所述第一方向及所述第二方向交替设置。
22、在一些实施例中，所述半导体器件还包括字线，所述字线设置于所述有源单元的侧壁上。
23、本申请实施例还提供一种存储器，所述存储器包括任一上述的半导体器件。
24、本申请实施例还提供一种存储系统，所述存储系统包括任一上述的存储器以及控制器，所述控制器耦合至所述存储器，且用于控制所述存储器存储数据。
25、本申请有益效果：本申请通过将位线及电容结构设置于本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线子层包括第一位线，所述第二位线子层包括第二位线，所述第一位线的延伸方向和所述第二位线的延伸方向平行；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线在所述有源层上的正投影与所述第二位线在所述有源层上的正投影交替设置。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，所述有源单元包括第一有源柱与第二有源柱，所述第一有源柱与所述第一位线连接，所述第二有源柱与所述第二位线连接；
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容单元包括第一子单元与第二子单元；
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电容单元包括第三子单元与第四子单元；
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一位线子层和所述第二位线子层在所述有源层上的正投影中，各所述第一位线对应的各所述第一引线部的引出方向相同，各所述第二位线对应的各所述第二引线部的引出方向相同，所述第一位线对应的所述第一
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容单元在所述有源层上的正投影与所述第一位线和所述第二位线在所述有源层上的正投影均有重叠；
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容单元包括第五电容部和第五接触塞，所述第五接触塞与所述第一有源柱接触连接，所述第五电容部向相邻所述第一位线的方向扩展，所述第五电容部的扩展方向与所述第一位线的延伸方向垂直；
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第五电容部包括与所述第五接触塞连接的第一端及远离所述第五接触塞的第二端，所述第六电容部包括与所述第六接触塞连接的第三端及远离所述第六接触塞的第四端；
11.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述电容结构和所述位线层在所述有源层上的正投影中，所述第一电容单元在垂直于所述第一位线的方向上的尺寸大于所述第一电容单元在平行于所述第一位线的方向上的尺寸，所述第二电容单元在垂直于所述第二位线的方向上的尺寸大于所述第二电容单元在平行于所述第二位线的方向上的尺寸。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线子层包括第一位线组，所述第一位线组的延伸方向为第一方向，沿所述第一方向交错排列的两列所述有源单元对应一所述第一位线组；
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线组在所述有源层上的正投影与所述第二位线组在所述有源层上的正投影重叠设置。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线组包括第一绝缘部和设置于所述第一绝缘部与所述有源层之间的第一导体部；
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述电容结构包括电容部件和接触塞部，所述接触塞部设置于所述位线层内，所述接触塞部包括接触导电子部和位于所述接触导电子部与所述位线层之间的接触绝缘子部，所述电容部件通过所述接触导电子部与所述有源单元接触连接。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述有源单元包括第一有源柱与第二有源柱，所述第一有源柱与所述第一位线组连接，所述第二有源柱与所述第二位线组连接；
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，与所述第一位线组的延伸方向垂直的方向为第二方向，所述第一有源柱和所述第二有源柱沿所述第一方向及所述第二方向交替设置。
18.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括字线，所述字线设置于所述有源单元的侧壁上。
19.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括权利要求1至18中任一项所述的半导体器件。
20.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括权利要求19所述的存储器以及控制器，所述控制器耦合至所述存储器，且用于控制所述存储器存储数据。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线子层包括第一位线，所述第二位线子层包括第二位线，所述第一位线的延伸方向和所述第二位线的延伸方向平行；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一位线在所述有源层上的正投影与所述第二位线在所述有源层上的正投影交替设置。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，所述有源单元包括第一有源柱与第二有源柱，所述第一有源柱与所述第一位线连接，所述第二有源柱与所述第二位线连接；
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容单元包括第一子单元与第二子单元；
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电容单元包括第三子单元与第四子单元；
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一位线子层和所述第二位线子层在所述有源层上的正投影中，各所述第一位线对应的各所述第一引线部的引出方向相同，各所述第二位线对应的各所述第二引线部的引出方向相同，所述第一位线对应的所述第一引线部的引出方向，与相邻所述第二位线对应的所述第二引线部的引出方向相反。
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容单元在所述有源层上的正投影与所述第一位线和所述第二位线在所述有源层上的正投影均有重叠；
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容单元包括第五电容部和第五接触塞，所述第五接触塞与所述第一有源柱接触连接，所述第五电容部向相邻所述第一位线的方向扩展，所述第五电容部的扩展方向与所述第一位线的延伸方向垂直；
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第五电容部包括与所述第五接触塞连接的第一端及远离所述第五接触塞的第二端，所述第六电容部包括与所述第六接触塞连接的第三端及远离所述第六接触塞的第四端；
11.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述电容...
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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