【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工领域，尤其是涉及一种晶圆加工设备。
技术介绍
1、相关技术中指出，半导体行业需要超薄的晶圆，以便在晶圆上设计制造电路，目前晶圆加工设备磨削精度不高，且晶圆加工设备结构尺寸较大，占用空间大，具有优化空间。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术在于提出一种晶圆加工设备，所述晶圆加工设备可以提高晶圆磨削加工质量，可以降低晶圆磨削装置沿l线方向上的长度，减少晶圆磨削装置的结构尺寸，进而可以提高晶圆磨削装置的刚性。
2、本专利技术还提出一种应用于上述晶圆加工设备的晶圆加工清洁方法。
3、根据本专利技术第一方面实施例的晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括：支撑台；旋转台，所述旋转台可转动地设于所述支撑台上，所述旋转台上设有多个工作台，多个所述工作台沿所述旋转台的周向间隔布置，所述工作台的上侧表面形成为用于支撑和固定晶圆的工作区；晶圆磨削装置，所述晶圆磨削装置设于所述支撑台上且数量为多个，多个所述晶圆磨削装置沿所述旋转台的周向间隔布置，所述晶圆磨削装置用于加工置于所述工作区的晶圆；其中，所述支撑台具有环绕所述旋转台间隔排布的多个工位区域，多个所述工位区域与所述工作台的数量一一对应，多个所述工位区域中的一部分形成为加工工位，且另一部分形成为上下料工位，多个所述晶圆磨削装置与多个所述加工工位一一对应且分别布置在多个所述加工工位所在位置，所述晶圆磨削装置为对称结构，且所述晶圆磨削装置具有竖向延伸的中心对称面，
4、根据本专利技术实施例的晶圆加工设备，通过设置多个晶圆磨削装置和多个工作区沿旋转台的周向间隔布置，晶圆磨削装置的数量小于工作区的数量，可以使得晶圆能够被放入工作区并通过旋转台的旋转晶圆依次移动到晶圆磨削装置，并能够从工作台取出晶圆，保证生产的流畅，提高生产效率，通过设置晶圆磨削装置的中心对称面经过旋转台的旋转中心，可以有效减少晶圆磨削装置沿l线的长度，能够提高晶圆磨削装置的刚性，保证更高的切削稳定性，同时可以减少晶圆磨削装置的结构尺寸。
5、根据本专利技术的一些实施例，多个所述晶圆磨削装置包括晶圆粗磨装置、晶圆精磨装置和晶圆超精磨装置，所述晶圆粗磨装置、所述晶圆精磨装置和所述晶圆超精磨装置沿所述旋转台的旋转方向依次排布。
6、根据本专利技术的一些实施例，所述工位区域的数量为四个，四个所述工位区域在所述旋转台的周向均匀间隔排布，四个所述工位区域中的三个为加工工位，一个为上下料工位，其中，所述晶圆磨削装置的数量为3，且相邻的两个所述晶圆磨削装置的中心对称面之间的夹角为90°。
7、根据本专利技术的一些实施例，所述中心对称面经过多个所述工作台的旋转中心。
8、根据本专利技术的一些实施例，所述晶圆加工设备还包括：第一转运机构，所述第一转运机构设于所述支撑台上用于将待加工的晶圆移动至位于所述上下料工位所在位置的所述工作区；第二转运机构，所述第二转运机构设于所述支撑台用于将加工后的、位于所述上下料工位所在区域的所述工作区的所述晶圆移动至预设区域。
9、根据本专利技术的一些实施例，所述晶圆加工设备还包括：第一清洗装置，所述第一清洗装置设于所述支撑台上，所述第一清洗装置被配置为用于清洁位于所述上下料工位的所述工作区的且加工后的晶圆的磨削面；第一清洁装置，所述第一清洁装置设于所述支撑台且与所述旋转台间隔布置，所述第二转运机构被配置为可将位于所述上下料工位的所述工作区的晶圆转运至所述第一清洁装置，所述第一清洁装置被配置为用于清洁所述晶圆的非磨削面。
10、根据本专利技术的一些实施例，所述第二转运机构具有用于抓取晶圆的抓取部，所述第一清洁装置被配置为可清洁所述抓取部，所述第一清洁装置包括可转动的毛刷和/或海绵。
11、根据本专利技术的一些实施例，所述晶圆加工设备还包括：台面清洁装置，所述台面清洁装置包括油石，所述台面清洁装置被配置为通过所述油石清洁所述工作区；第二清洗装置，所述第二清洗装置布置在所述支撑台上，所述第二转运机构被配置为可将位于所述第一清洁装置位置的晶圆转运至所述第二清洗装置。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述晶圆加工设备还包括：用于定位待加工晶圆的晶圆定位装置，所述晶圆定位装置设于所述旋转台的一侧，所述第一转运机构用于将所述晶圆定位装置上的晶圆转运至所述旋转台上的工作区。
13、根据本专利技术的一些实施例，所述晶圆加工设备还包括：用于存放待加工的晶圆的第一存储区；用于存放加工后的晶圆的第二存储区；运输机器人，所述运输机械人被配置将所述第一存储区的晶圆输送至所述晶圆定位装置，和/或，将清洁后的所述晶圆输送至所述第二存储区。
14、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，多个所述晶圆磨削装置包括晶圆粗磨装置、晶圆精磨装置和晶圆超精磨装置，所述晶圆粗磨装置、所述晶圆精磨装置和所述晶圆超精磨装置沿所述旋转台的旋转方向依次排布。
3.根据权利要求2所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述工位区域的数量为四个，四个所述工位区域在所述旋转台的周向均匀间隔排布，四个所述工位区域中的三个为加工工位，一个为上下料工位，其中，所述晶圆磨削装置的数量为3，且相邻的两个所述晶圆磨削装置的中心对称面之间的夹角为90°。
4.根据权利要求3所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述中心对称面经过多个所述工作台的旋转中心。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述第二转运机构具有用于抓取晶圆的抓取部，所述第一清洁装置被配置为可清洁所述抓取部，所述第一清洁装置包括可转动的毛刷和/或
8.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括：台面清洁装置，所述台面清洁装置包括油石，所述台面清洁装置被配置为通过所述油石清洁所述工作区；
9.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括：用于定位待加工晶圆的晶圆定位装置，所述晶圆定位装置设于所述旋转台的一侧，所述第一转运机构用于将所述晶圆定位装置上的晶圆转运至所述旋转台上的工作区。
10.根据权利要求9所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，多个所述晶圆磨削装置包括晶圆粗磨装置、晶圆精磨装置和晶圆超精磨装置，所述晶圆粗磨装置、所述晶圆精磨装置和所述晶圆超精磨装置沿所述旋转台的旋转方向依次排布。
3.根据权利要求2所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述工位区域的数量为四个，四个所述工位区域在所述旋转台的周向均匀间隔排布，四个所述工位区域中的三个为加工工位，一个为上下料工位，其中，所述晶圆磨削装置的数量为3，且相邻的两个所述晶圆磨削装置的中心对称面之间的夹角为90°。
4.根据权利要求3所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述中心对称面经过多个所述工作台的旋转中心。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶圆加工设备，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏元夫半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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