【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,尤其涉及一种用于对探针进行监测的方法、半导体设备及存储介质。
技术介绍
1、半导体制作过程中包括许多制程工艺,为了确保制程可靠性,需要在工作制程完成后对制程形成的结构的形貌进行测量。比如,通过afm(atomic force microscope,原子力显微镜)对形成的图形进行探测,以量测形成的图形的形貌和尺寸是否符合预设的目标图形。在对图形的形貌和尺寸进行量测的过程中,当采用接触式成像模式时,afm设备上的探针会受到损耗,当探针的磨损情况达到一定程度时已经无法再进行准确测量,比如,在使用探针对孔的形貌进行量测时,受到孔的宽度和深度影响,如果探针端部的宽度过宽,导致探针无法伸入到孔的底部进行测量,造成测量结果异常。因此,需要对探针的形貌进行监测,以确保使用探针进行量测的准确性。
2、目前,对探针的形貌监测方法通常是采用探针对已知尺寸的标准样品进行量测,进而根据探针对标准样品的量测结果和标准样品的实际尺寸拟合为探针形貌,进而确定探针的形貌,判断探针是否能够用于相关制程的测量。然而,该方法只能在探针进行量测之前
...【技术保护点】
1.一种用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述用于对探针进行监测的方法包括:
2.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述用于对探针进行监测的方法还包括:
3.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述目标制程形成的第一图形或第一形貌包括凹陷区域,获取目标参考值,包括:
4.根据权利要求3所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,获取所述目标制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度,包括:
5.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,基于所述目标凹
...【技术特征摘要】
1.一种用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述用于对探针进行监测的方法包括:
2.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述用于对探针进行监测的方法还包括:
3.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述目标制程形成的第一图形或第一形貌包括凹陷区域,获取目标参考值,包括:
4.根据权利要求3所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,获取所述目标制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度,包括:
5.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,基于所述目标凹陷宽度和所述探针极限宽度,获得所述目标参考值,包括:
6.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,建立所述配置信息的方法包括:
7.根据权利要求6所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,从对应的多个所述样本测量值中选择满足预设要求的样本测量值所对应的探针的宽度作为所述探针极限宽度,包括:
8.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法,其特征在于,所述用于对探针...
【专利技术属性】
技术研发人员:岑志婷,王士欣,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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