用于集成电路的失效样本再采样方法、装置和计算设备制造方法及图纸

技术编号:41358351 阅读:17 留言:0更新日期:2024-05-20 10:09
本发明专利技术的实施方式提供了一种用于集成电路的失效样本再采样方法、装置和计算设备。该方法包括:确定集成电路中预设的工艺偏差变量的概率密度函数;确定压扩因子总集合;其中,所述压扩因子总集合中包含多个压扩因子,且任意两个压扩因子均不相同;根据所述概率密度函数和所述压扩因子总集合,确定所述压扩因子总集合的概率质量函数;根据所述概率质量函数和预设总采样点数进行再采样,得到再采样失效样本。本发明专利技术提升了再采样过程中获取的失效样本的数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及集成电路,更具体地,本专利技术的实施方式涉及一种用于集成电路的失效样本再采样方法、装置和计算设备


技术介绍

1、本部分旨在为权利要求书中陈述的本专利技术的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

2、近年来,随着集成电路(integrated circuit,ic)特征尺寸的不断缩小和集成度的不断提高,ic制造过程中所引入的工艺偏差日益严重。工艺偏差通常可以表征为器件参数的失配/偏差。尽管业界已经采用了各种方法(如分辨率增强技术ret等)来对其进行控制,但是器件参数的这种随机波动仍然使得整个芯片的性能响应极易偏离设计指标,造成严重的成品率问题。因此,超大规模集成电路的设计和优化必须仔细分析工艺偏差对系统失效和性能不确定性的影响,并将失效率作为系统性能优化的关键指标。

3、值得注意的是,对大规模集成电路的失效率进行准确估计并非易事。由于当前片上系统通常包含数百万、甚至上千万个电路单元,一旦有一个单元失效,整个系统都会失效。因此,为保证足够高的成品率,每个单元必须具有极低的失效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于集成电路的失效样本再采样方法,包括:

2.根据权利要求1所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述确定集成电路中预设的工艺偏差变量的概率密度函数,包括:

3.根据权利要求2所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述工艺偏差变量的概率密度函数f(x)为:

4.根据权利要求1~3任一项所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述根据所述概率密度函数和所述压扩因子总集合,确定所述压扩因子总集合的概率质量函数,包括:

5.根据权利要求4所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述根据所述概率密度函数和一个目标采样点集合中的失效采样点...

【技术特征摘要】

1.一种用于集成电路的失效样本再采样方法,包括:

2.根据权利要求1所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述确定集成电路中预设的工艺偏差变量的概率密度函数,包括:

3.根据权利要求2所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述工艺偏差变量的概率密度函数f(x)为:

4.根据权利要求1~3任一项所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述根据所述概率密度函数和所述压扩因子总集合,确定所述压扩因子总集合的概率质量函数,包括:

5.根据权利要求4所述的用于集成电路的失效样本再采样方法,所述根据所述概率密度函数和一个目标采样点集合中的失效采样点,确定所述目标采样点集合对应的目标压扩因子...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨海涛
申请(专利权)人:上海超捷芯软科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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