【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体及碳化硅器件。
技术介绍
1、碳化硅功率器件又称电力电子器件，主要应用于电力设备电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，有功率二极管、功率三极管、晶闸管、mosfet、i gbt等。碳化硅功率元器件在1000v以上的中高压领域有深远影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。
2、由于碳化硅的禁带宽度大约为3.2ev，硅的禁带宽度为1.12ev，大约为碳化硅禁带宽度的1/3。其具有宽的禁带、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，因此具有广的应用。目前，其工艺技术还不成熟，现有背面工艺：金属沉淀、激光退火，因沉积背面金属层生成金属化合物时，金属仅仅和硅反应并生成化合物，导致部分碳析出产生各种缺陷，导致导通电阻增加，金属薄膜与si c脱裂，影响晶元背面形貌,导致形貌异常，经常出现去皮情况，增加背面接触电阻率。背面接触电阻在总体的单位面积电阻(rsp)中占比约：4～8％,...
【技术保护点】
1.一种降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，包括SiC晶片，其特征在于：所述SiC晶片的衬底背面从上往下依次设置有沉积硅层、欧姆金属层。
2.根据权利要求1所述降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，其特征在于：所述沉积硅层的厚度在10nm～50nm之间。
3.根据权利要求1所述降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，其特征在于：所述欧姆金属层与沉积硅层的厚度比例为6/1～3/1。
4.根据权利要求1所述降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，其特征在于：所述欧姆金属层采用钛。
5.一种碳化硅器件，包括栅极、源极和欧姆接触漏极，其特...
【技术特征摘要】
1.一种降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，包括sic晶片，其特征在于：所述sic晶片的衬底背面从上往下依次设置有沉积硅层、欧姆金属层。
2.根据权利要求1所述降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，其特征在于：所述沉积硅层的厚度在10nm～50nm之间。
3.根据权利要求1所述降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体，其特征在于：所述欧姆金属层与沉积硅层的厚度比例为6/1～3/1。
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊，
申请(专利权)人：杰平方半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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