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本技术公开了一种降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体及碳化硅器件，包括S i C晶片，所述S i C晶片的衬底背面从上往下依次设置有沉积硅层、欧姆金属层。本技术通过避免了碳析出，减少了欧姆接触电阻，及金属薄膜和S i C脱裂的机率。...
该专利属于杰平方半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰平方半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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