【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,涉及但不限于一种电压校准装置及方法、存储器和存储系统。
技术介绍
1、随着当今科学技术的不断发展,半导体存储装置的密度不断增加。高数据可靠性、高存取速度成为了半导体存储器发展的重要趋势。其中,动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory,dram)是一种易失性存储器,其通过存储单元电容器中积累的电荷作为物理信号来存储信息。
2、由于动态随机存取存储器可能具有不执行操作的时间段,因此可以具有掉电模式以减小功耗。例如,在不输入和不输出数据的时段内,存储器件可以进入掉电模式,从而不对特定的功能块以外的存储块执行各项操作。在退出掉电模式后,动态随机存储器需要对参考电压进行精确校准,其对于存储系统的正常工作起着十分重要的作用。然而,在上电后参考电压校准的过程中,动态随机存储器有可能接收到用户命令而产生逻辑错误,从而导致后续命令失效等问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本公开实施例提供了一种电压校准装置、电压校准方法、存储器和存储系统。
>2、第一方面本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电压校准装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的电压校准装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的电压校准装置,其特征在于,所述校准控制电路包括:
4.根据权利要求3所述的电压校准装置,其特征在于,所述预触发单元包括:
5.根据权利要求1所述的电压校准装置,其特征在于,所述命令解码电路还用于根据存储控制器发出的第三外部命令,输出模式寄存器写命令;
6.根据权利要求1所述的电压校准装置,其特征在于,还包括:
7.一种电压校准方法,其特征在于,所述方法包括:
8.根据权
...【技术特征摘要】
1.一种电压校准装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的电压校准装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的电压校准装置,其特征在于,所述校准控制电路包括:
4.根据权利要求3所述的电压校准装置,其特征在于,所述预触发单元包括:
5.根据权利要求1所述的电压校准装置,其特征在于,所述命令解码电路还用于根据存储控制器发出的第三外部命令,输出模式寄存器写命令;
6.根据权利要求1所述的电压校准装置,其特征在于,还包括:
7.一种电压校准方法,其特征在于,所述方法包括:
【专利技术属性】
技术研发人员:史腾,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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