一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路制造技术

本发明专利技术提供一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路。所述高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路包括：DDR读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。本发明专利技术提供的高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路，通过故障监测模块实时对DDR读写电路模块进行监测，检测其是否存在异常信息，一旦通过故障确定模块确定异常情况，可通过配置模块对DDR读写电路模块进行初始化配置，禁用异常信息所指示的故障DDR颗粒，使得异常信息所指示的故障DDR颗粒不会影响DDR读写电路模块对其他DDR颗粒的使用，避免了因少数故障DDR颗粒故障导致整个DDR读写电路模块无法正常运行的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路，尤其涉及一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路。

技术介绍

1、ddr，即双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种，目前，随着集成电路的发展，双倍速率(double data rate，ddr)同步动态随机存储器(synchronous dynamicrandom access memory，sdram)因其高数据传输速率，在很多领域中得到广泛应用。

2、相关技术中，ddr颗粒存在一定的生命周期，ddr颗粒可能因为温度、湿度、碰撞等各种因素出现故障。在高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路的应用当中，一旦电路连接的一颗ddr颗粒出现故障，就会导致整个电路无法正常运行。

3、因此，有必要提供一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路，解决了
技术介绍
中的问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路包括：ddr读写电路模块、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，包括：DDR读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。

2.根据权利要求1所述的高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，所述获取模块用于获取所述DDR读写电路模块的信息数据，所述故障监测模块用于对获取模块获取的信息数据进行监测，检测是否存在异常信息，异常信息用于指示故障DDR颗粒，所述中央处理模块用于对监测结果进行处理，并传导给读取模块，所述读取模块用于对处理结果进行读取，并传导给故障确定模块，所述故障确定模块用于确定该DDR颗粒是否为故障...

【技术特征摘要】

1.一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，包括：ddr读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。

2.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，所述获取模块用于获取所述ddr读写电路模块的信息数据，所述故障监测模块用于对获取模块获取的信息数据进行监测，检测是否存在异常信息，异常信息用于指示故障ddr颗粒，所述中央处理模块用于对监测结果进行处理，并传导给读取模块，所述读取模块用于对处理结果进行读取，并传导给故障确定模块，所述故障确定模块用于确定该ddr颗粒是否为故障ddr颗粒，所述配置模块用于对ddr读写电路模块进行初始化配置时，禁用异常信息所指示的故障ddr颗粒，所述数据储存模块用于对读取模块以及故障确定模块的数据信息进行储存，所述预警模块用于对故障ddr颗粒进行提醒。

3.根据权利要求2所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，所述故障监测模块对ddr颗粒进行错误检查和纠正ecc检测，并分别确定各ddr颗粒存在的双比特错误数量。

4.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，所述中央处理模块为单片机，其型号为stc89c51。

5.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路，其特征在于，还包括分区模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：金锐，吴守然，
申请(专利权)人：南京泰恩精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：