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一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路制造技术
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文档序号:41348331
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本发明提供一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路。所述高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路包括:DDR读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。本发明提供的高密度DDR...
该专利属于南京泰恩精密科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京泰恩精密科技有限公司授权不得商用。
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