一种钡基非线性光学晶体、其制备方法与用途技术

本发明专利技术公开了一种钡基混阴离子非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明专利技术的光学晶体具有如下所示的分子式：Ba<subgt;3</subgt;Ge<subgt;4</subgt;SnO<subgt;10</subgt;S<subgt;3</subgt;，其晶体结构属于正交晶系，空间群Pma2<subgt;1</subgt;。本发明专利技术的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质，在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙(E<subgt;g</subgt;>3.5eV)，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS<subgt;2</subgt;的0.5‑1.0倍，且其激光损伤阈值是AgGaS<subgt;2</subgt;晶体的30‑40倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机非线性光学材料，具体涉及一种钡基混阴离子非线性光学晶体、其制备方法与用途。

技术介绍

1、二阶非线性光学(nlo)晶体是一类非常重要的功能材料，在激光通讯、光学信息处理、集成电路和军事技术等方面有着广泛的用途。一般来讲，理想的二阶nlo晶体必须满足如下的条件：(1)大的二阶倍频系数；(2)高的激光损伤阈值；(3)大小适当的双折射率；(4)宽的光学透过范围；(5)良好的物理化学性能及机械性能等。非线性光学材料根据其物化性能可分为无机材料、有机材料、高分子材料和有机金属络合物材料。目前市场化的二阶nlo晶体绝大部分都是无机材料，根据其应用波段的不同，可以分为紫外波段、可见波段以及红外波段三大类。其中紫外和可见波段的二阶nlo晶体材料已经能够满足实际应用的要求。

2、目前商业化的红外二阶nlo晶体主要为黄铜矿类型材料，例如aggas2，aggase2和zngep2，但由于低的光学带隙所带来的一系列性能缺陷影响了它们的实际应用范围。优异的红外二阶nlo晶体材料要求兼具大的二阶倍频系数(>0.5×aggas2)和宽的光学带隙(eg本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学晶体，其特征在于，所述光学晶体的分子式为Ba3Ge4SnO10S3。

2.根据权利要求1所述的光学晶体，其特征在于，所述光学晶体的结构属于正交晶系，空间群为Pma21，其晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝90°。

3.根据权利要求1或2所述的光学晶体，其特征在于，所述光学晶体具有三维网格结构，所述三维网格结构主要是由混合阴离子的[GeO3S]四面体和高度畸变的[SnO6]八面体作为基本的不对称单元，通过共用顶点相互连接形成，所述碱土金属元素Ba分散填充在所述三维网格结构之中，作为电荷平衡。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光学晶体，...

【技术特征摘要】

1.一种光学晶体，其特征在于，所述光学晶体的分子式为ba3ge4sno10s3。

2.根据权利要求1所述的光学晶体，其特征在于，所述光学晶体的结构属于正交晶系，空间群为pma21，其晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝90°。

3.根据权利要求1或2所述的光学晶体，其特征在于，所述光学晶体具有三维网格结构，所述三维网格结构主要是由混合阴离子的[geo3s]四面体和高度畸变的[sno6]八面体作为基本的不对称单元，通过共用顶点相互连接形成，所述碱土金属元素ba分散填充在所述三维网格结构之中，作为电荷平衡。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光学晶体，其特征在于，所述光学晶体为红外非线性光学晶体，具有二阶非线性光学性质。

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【专利技术属性】
技术研发人员：林华，朱起龙，石永芳，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：