一种NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法和装置，包括针对数字电路每个种类的单元，利用预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值确定输入信号概率组合并在各输入信号概率组合下建立老化单元库；针对每个种类单元建立的老化单元库中各timing arc下不同时序模型分别建立老化相关参数和老化结果的映射关系；针对需要仿真的每条路径，确定其中每个单元的状态信息、输入的信号概率、输入信号转换时间、输出信号负载电容和timing arc信息以及对应的映射关系，将相关数据代入对应的映射关系中得到延迟值和输出信号转换时间；将该路径中所有单元的延迟值累加得到整体时序信息；本发明专利技术能够降低成本和复杂度，提高实际应用中NBTI效应仿真分析的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，具体涉及一种nbti效应作用下的数字集成电路时序分析方法和装置。

技术介绍

1、随着半导体工艺的不断发展，集成电路的性能和集成度不断提升，但是随之而来的可靠性问题也日益突出。芯片的可靠性定义为在规定的使用条件下，经过一定时间和次数的工作后，仍能维持其规定功能和性能的能力。简单说，就是芯片在正常使用环境下的寿命、稳定性和安全性等性能指标。随着芯片工艺尺寸的不断缩小，各种老化效应、电路的信号噪声、发热问题等对芯片的可靠性造成了越来越大的挑战。

2、芯片的老化效应是指半导体器件在工作过程中由于各种物理、化学或电学效应而引起的参数变化或性能衰退。半导体器件在长期工作后，受到老化效应的长期影响，其电学特性，如阈值电压、电流、电阻等会产生退化，从而影响了器件和电路的功能和性能，更为严重者甚至会造成电路的功能失效。

3、从芯片老化的物理机制来看，对芯片影响较为严重的老化现象主要分为四类：热载流子注入效应(hot carrier injection，hci)，偏置温度不稳定效应(bias temperatureinstabi本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值，包括：

3.根据权利要求2所述的NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述针对数字电路选用的每个种类的单元，利用预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值，确定该种类单元的所有输入信号概率组合，包括：

4.根据权利要求3所述的NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述在该种类单元的各输入信号概率组合下分别建立老化...

【技术特征摘要】

1.一种nbti效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的nbti效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值，包括：

3.根据权利要求2所述的nbti效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述针对数字电路选用的每个种类的单元，利用预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值，确定该种类单元的所有输入信号概率组合，包括：

4.根据权利要求3所述的nbti效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述在该种类单元的各输入信号概率组合下分别建立老化单元库，包括：

5.根据权利要求4所述的nbti效应作用下的数字集成电路时序分析方法，其特征在于，所述针对每个种类单元建立的老化单元库中各时序弧timing arc下不同的时序模型，分别建立一个老化相关参数和老化结果的映射关系，包括：

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弘，张洋，晋亚伟，游海龙，陈晨，孙永生，汤正光，刘知行，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：