一种适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构，涉及功率变换器技术领域，包括：印刷电路板；印刷电路板包括自上而下依次叠设的第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层；位于第一导电层远离第二导电层一侧的第一GaN器件、第二GaN器件和解耦电容；其中，第二导电层与第四导电层为GND层，第一GaN器件、第二GaN器件、解耦电容与第二导电层形成第一功率环路；第三导电层与第一导电层电连接，并与第四导电层形成与第一功率环路结构相同的第二功率环路，相邻导电层的电流方向相反。本发明专利技术将磁抵消路线延伸至器件内部，通过重复交错式地实现磁抵消，增大了磁抵消面积，能够大幅降低功率环路的寄生电感。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率变换器，具体涉及一种适用于gan器件的全交错式pcb布局结构。

技术介绍

1、非隔离型dc-dc变换器由于其结构简单、效率高，被广泛应用于各种需要高功率密度、高效率的计算机、通信系统、手持电子产品等其他领域中。这些非隔离的dc-dc变换器直接安装于主板上，被称为负载点(point-of-load，pol)变换器。

2、随着基于硅的功率器件发展逐渐趋向成熟，为了追求更高开关频率和更高的功率密度，技术人员把目光转向了宽禁带半导体材料。虽然宽禁带半导体功率器件在频率和功率密度上带来提升，但随之而来的寄生影响成为了亟待解决的主要问题之一。

3、为了降低电路的寄生电感，现有技术大多通过缩小功率回路的面积来减小寄生电感，但这种方法不仅受限于器件的尺寸，而且具有一定的工艺难度。因此，需要寻求新的布局方法来改善电路的寄生参数。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种适用于gan器件的全交错式pcb布局结构。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构，其特征在于，所述解耦电容的两端、所述第一GaN器件的源端、漏端和栅端以及所述第二GaN器件的源端、漏端和栅端分别通过多个第一过孔与第三导电层电连接。

3.根据权利要求1所述的适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构，其特征在于，所述第一导电层远离所述第二导电层的一侧还包括：驱动芯片，所述驱动芯片与第一GaN器件在第一导电层上形成驱动环路；其中，

4.根据权利要求3所述的适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种适用于gan器件的全交错式pcb布局结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的适用于gan器件的全交错式pcb布局结构，其特征在于，所述解耦电容的两端、所述第一gan器件的源端、漏端和栅端以及所述第二gan器件的源端、漏端和栅端分别通过多个第一过孔与第三导电层电连接。

3.根据权利要求1所述的适用于gan器件的全交错式pcb布局结构，其特征在于，所述第一导电层远离所述第二导电层的一侧还包括：驱动芯片，所述驱动芯片与第一gan器件在第一导电层上形成驱动环路；其中，

4.根据权利要求3所述的适用于gan器件的全交错式pcb布局结构，其特征在于，还包括第二过孔、第三过孔和位于第二导电层的第三走线；其中，

5.根据权利要求3所述的适用于gan器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：于龙洋，涂一肖，赵胜雷，孙雪晶，危浩彬，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：