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本发明公开了一种适用于GaN器件的全交错式PCB布局结构，涉及功率变换器技术领域，包括：印刷电路板；印刷电路板包括自上而下依次叠设的第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层；位于第一导电层远离第二导电层一侧的第一GaN器件、第二GaN...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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