【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子封装微互连，具体涉及一种用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着电子器件、高铁、电动汽车以及航空航天等领域的快速发展，对功率半导体器件的需求快速增加。功率半导体器件因其运行时功率密度高、发热量大、工作温度高，对器件的封装提出了更高的要求。能够实现低温烧结，高温服役的纳米银浆料具有优越的热性能、电学性能和力学性能以及较强的抗腐蚀性和抗氧化性，成为宽禁带半导体器件封装互连的关键材料之一，但烧结银存在电化学迁移问题，可能导致电子器件的短路失效，严重影响产品的可靠性。而抗电迁移能力较强的cu易氧化，生成的氧化物会提高烧结的温度，也会影响焊点的机械强度和导电导热性能。
2、为解决以上问题，有研究者制备出了微米in-cu@in核壳结构来有效克服cu的易氧化性能并有效降低焊接温度，针对ag的电迁移问题，有的研究者提出了cu@ag核壳结构、agcu固溶体结构、agin混合颗粒等，但均未能充分克服ag的电迁移短路问题，并且部分方法会大大降低银导电等性能。
技术实...
【技术保护点】
1.用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构，其特征在于：包括中间预制片(1)和外围焊膏(2)，所述外围焊膏(2)设置在中间预制片(1)的外周并将中间预制片(1)包围。
2.根据权利要求1所述的用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构，其特征在于：所述外围焊膏(2)的材料包括纳米Pd、纳米Cu@Pd核壳材料、Cu@Sn核壳材料、Cu@In核壳材料、Cu@In核壳材料与In的混合材料、纳米AgCu饱和固溶体材料、纳米Ni材料、In材料中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构，其特征在于：所述中间预制片(1)的材
【技术特征摘要】
1.用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构，其特征在于：包括中间预制片(1)和外围焊膏(2)，所述外围焊膏(2)设置在中间预制片(1)的外周并将中间预制片(1)包围。
2.根据权利要求1所述的用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构，其特征在于：所述外围焊膏(2)的材料包括纳米pd、纳米cu@pd核壳材料、cu@sn核壳材料、cu@in核壳材料、cu@in核壳材料与in的混合材料、纳米agcu饱和固溶体材料、纳米ni材料、in材料中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的用于功率器件芯片键合的焊膏预制片结构，其特征在于：所述中间预制片(1)的材料为纳米ag。
4.一种权利要求1-3任一权利要求所述的用于功率器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，王鹏博，丁文波，安荣，郑振，田艳红，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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