【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆测试设备，具体涉及一种晶圆片表面电压-电容测试装置。
技术介绍
1、晶圆片的载流子测试是半导体制造过程中的重要组成部分。晶圆片是半导体器件的基本组成部分(即作为衬底材料)，而载流子是半导体材料中的电子和空穴。载流子测试是对半导体晶圆片中载流子的数量进行测试。这种测试通常在晶圆外延阶段进行，以确保产品符合规格和质量标准。通过载流子测试，可以检测出晶圆制造过程中的电学性能等。这些问题可能会影响最终产品的性能和可靠性。因此，载流子测试是半导体制造过程中质量控制的关键步骤之一。
2、在中国专利申请公告号为cn 113611627 a中，公开了一种碳化硅外延层载流子浓度测试的方法及装置，所述方法为采用mcv设备测试碳化硅外延层载流子浓度，所述mcv设备包括载物台，所述载物台上方设置离子风帘盘，所述离子风帘盘通过一导管连接氮气出口；在测试碳化硅外延层载流子浓度之前，开启氮气出口，产生的离子风通过所述离子风帘盘对所述载物台上的碳化硅外延层进行吹扫，之后再进行碳化硅外延层载流子浓度的测试。但是在实际测试关环节，由于采用的晶...
【技术保护点】
1.一种晶圆片表面电压-电容测试装置，包括承载机构(1)、探针机构(2)，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，所述承载台(11)所在的上表面整体呈盘面结构，位于所述承载台(11)所在上端面设置有多组吸附区域(101)，并实现每组吸附区域(101)与承载台(11)下方的中空通道(131)独立形成真空连接气道，使吸附区域(101)形成对上表面承载的晶圆片形成吸附，且每组吸附区域(101)形成对不同尺寸晶圆片大小的吸附固定。
3.根据权利要求2所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，位于所述承载台(...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆片表面电压-电容测试装置，包括承载机构(1)、探针机构(2)，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，所述承载台(11)所在的上表面整体呈盘面结构，位于所述承载台(11)所在上端面设置有多组吸附区域(101)，并实现每组吸附区域(101)与承载台(11)下方的中空通道(131)独立形成真空连接气道，使吸附区域(101)形成对上表面承载的晶圆片形成吸附，且每组吸附区域(101)形成对不同尺寸晶圆片大小的吸附固定。
3.根据权利要求2所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，位于所述承载台(11)所在的上端面设置的吸附区域(101)由若干组同心的环形连通槽(111)组成，且一组或多组环形连通槽(111)与位于承载台(11)下方的中空通道(131)独立连通形成真空连接气道，使多组环形连通槽(111)以中心向外呈环形放射状分布。
4.根据权利要求3所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，每组所述环形连通槽(111)位于承载台(11)所在的上表面，以中心点向外呈放射状分布有多组副支连通槽(112)，使所述副支连通槽(112)与环形连通槽(111)相互连通均处于承载台(11)所在的上表面，并实现中空通道(131)的同步抽真空。
5.根据权利要求1所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，所述滑环芯组件(14)包括滑环基座(141)以及滑环基体(142)、滑环套筒(143)，所述滑环基座(141)所在的下端部固定，位于所述滑环基座(141)所在的上端部设置有连接槽口(1411)，并实现所述滑环基体(142)所在的下部螺纹连接在连接槽口(1411)所在的位置；
6.根据权利要求5所述的晶圆片表面电压-电容测试装置，其特征在于，位于所述承载...
【专利技术属性】
技术研发人员：王万江，陈立锋，
申请(专利权)人：微著半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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