存储器和控制方法技术

技术编号:41339089 阅读:17 留言:0更新日期:2024-05-20 09:57
本公开提供一种存储器和控制方法,包括:一级放大电路,连接位线和互补位线,用于放大位线和互补位线上的电压差;均衡电路,连接局部数据线和互补局部数据线,用于根据存储器的时序参数调整预充电电压,在位线和局部数据线接通之前将局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压,以及在互补位线和互补局部数据线接通之前将互补局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压;二级放大电路,连接局部数据线和互补局部数据线,用于在位线和局部数据线接通,以及互补位线和互补局部数据线接通后,放大局部数据线和互补局部数据线上的电压差。通过如此设置,提升存储器的时序参数性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及但不限定于一种存储器和控制方法


技术介绍

1、随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及,半导体存储器技术也得到了快速的发展。

2、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)中,设有多级放大电路,通过多级放大电路放大电压差,实现对存储单元中读出或者写入数据。对于多级放大电路的改进可以提升存储器的性能。


技术实现思路

1、本公开提供一种存储器,包括:

2、一级放大电路,连接位线和互补位线,用于放大位线和互补位线上的电压差;

3、均衡电路,连接局部数据线和互补局部数据线,用于根据存储器的时序参数调整预充电电压,在位线和局部数据线接通之前将局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压,以及在互补位线和互补局部数据线接通之前将互补局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压;

4、二级放大电路,连接局部数据线和互补局部数据线,用于在位线和局部数据线接通,以及互补位线和互补局部数据线接通后,放大局部数据线和互补局部数据线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路用于:

3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,

4.根据权利要求2或3所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路,用于:

5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,

6.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路包括:

7.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述供电电路,用于:

8.根据权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述第二控制电路包括:

9.根据权利要求8所述的存储器,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种存储器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路用于:

3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,

4.根据权利要求2或3所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路,用于:

5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,

6.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路包括:

7.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述供电电路,用于:

8.根据权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述第二控制电路包括:

9.根据权利要求8所述的存储器,其特征在于,所述均衡电路还包括:

10.根据权利要求9所述的存储器,其特征在于,所述信号生成单元包括:

11.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器还包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:罗怡菲
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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