一种半导体封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构及封装方法，半导体封装结构包括：若干个堆叠结构，每个所述堆叠结构包括：巴条、第一导电散热隔件和第二导电散热隔件、以及电绝缘散热片，电绝缘散热片位于所述第一导电散热隔件和所述巴条的底部、以及部分第二导电散热隔件的底部，第二导电散热隔件的宽度小于第一导电散热隔件的宽度，第一导电散热隔件的高度大于巴条的高度且大于第二导电散热隔件的高度，电绝缘散热片与第一导电散热隔件的底面焊接连接且与巴条和第二导电散热隔件均间隔；第二导电散热隔件位于相邻的堆叠结构中的第一导电散热隔件之间；以及热沉，热沉与电绝缘散热片背离第一导电散热隔件的一侧表面焊接连接。提高了半导体封装结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体封装结构及封装方法。

技术介绍

1、一种半导体封装结构包括：巴条；位于巴条两侧的导电散热隔块；电绝缘散热片，位于导电散热隔块的底部；热沉，热沉和导电散热隔块焊接连接。

2、然而，现有技术的半导体封装结构存在可靠性较差的问题。

技术实现思路

1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于如何提升半导体封装结构的可靠性的问题，从而提供一种半导体封装结构及封装方法。

2、本专利技术提供一种半导体封装结构，包括：若干个堆叠结构，每个所述堆叠结构包括：巴条、位于巴条的宽度方向两侧的第一导电散热隔件和第二导电散热隔件、以及电绝缘散热片，所述电绝缘散热片位于所述第一导电散热隔件和所述巴条的底部、以及部分所述第二导电散热隔件的底部，所述第二导电散热隔件的宽度小于所述第一导电散热隔件的宽度，所述第一导电散热隔件的高度大于所述巴条的高度且大于所述第二导电散热隔件的高度，所述电绝缘散热片与所述第一导电散热隔件的底面焊接连接且与所述巴条和所述第二导电散热隔件均间隔；第二导电散本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二导电散热隔件的宽度为所述第一导电散热隔件的宽度的10%~30%。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二导电散热隔件的宽度为0.1mm至0.3mm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电散热隔件的高度与所述巴条的高度之差为0.1mm至0.3mm。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，不同的堆叠结构中的电绝缘散热片间隔设置。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二导电散热隔件的宽度为所述第一导电散热隔件的宽度的10%~30%。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二导电散热隔件的宽度为0.1mm至0.3mm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电散热隔件的高度与所述巴条的高度之差为0.1mm至0.3mm。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，不同的堆叠结构中的电绝缘散热片间隔设置。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述堆叠结构中的第一导电散热隔件背离巴条一侧的侧壁与所述电绝缘散热片在宽度方向一侧的侧壁对齐。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，对于相邻的堆叠结构，一个堆叠结构中的第二导电散热隔件与另一个堆叠结构中的第一导电散热隔件焊接连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括：第一焊接层，位于所述第一导电散热隔件和所述电绝缘散热之间；第二焊接层，位于所述第一导电散热隔件和所述巴条之间；第三焊接层，位于所述第二导电散热隔件和所述巴条之间；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳嫣然，周立，王俊，张宇昆，胡燚文，李婷，俞浩，孙舒娟，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：