浪涌抑制电路及电子设备制造技术

本技术涉及电路技术领域，尤其涉及一种浪涌抑制电路及电子设备。其中，该浪涌抑制电路，包括：滤波模块、浪涌残压存储模块和浪涌残压吸收模块；其中，滤波模块的输入端与交流电源接口模块连接，滤波模块的输出端与浪涌残压存储模块的第一端连接，浪涌残压存储模块的第二端与浪涌残压吸收模块的第一端连接，浪涌残压吸收模块的第二端接地。采用上述方案的本技术可以提高电子设备的浪涌电压抗干扰能力，降低浪涌电压抑制成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路，尤其涉及一种浪涌抑制电路及电子设备。

技术介绍

1、浪涌电压也被称为瞬态过电压，一般是指在微妙级时间内产生的高频尖峰冲击电压或电流。相关技术中，可以从浪涌路径中的不同位置对浪涌电压进行吸收整改，然而，其并不能从源头抑制浪涌电压，导致电子设备的浪涌电压抗干扰能力较差，并且浪涌电压抑制成本较高。

技术实现思路

1、本技术提供了一种浪涌抑制电路及电子设备，主要目的在于提高电子设备的浪涌电压抗干扰能力，降低浪涌电压抑制成本。

2、根据本技术的一方面，提供了一种浪涌抑制电路，包括：滤波模块、浪涌残压存储模块和浪涌残压吸收模块；其中，

3、所述滤波模块的输入端与交流电源接口模块连接，所述滤波模块的输出端与所述浪涌残压存储模块的第一端连接，所述浪涌残压存储模块的第二端与所述浪涌残压吸收模块的第一端连接，所述浪涌残压吸收模块的第二端接地。

4、可选地，在本技术的一个实施例中，所述浪涌残压存储模块包括至少一个储能元件；其中，

5、所述至少一个储能元件的第一端分别与所述滤波模块的至少一个输出端一一对应连接，所述储能元件的第二端与所述浪涌残压吸收模块的第一端连接。

6、可选地，在本技术的一个实施例中，所述浪涌残压存储模块包括第一储能元件和第二储能元件；其中，

7、所述第一储能元件的第一端与所述滤波模块的火线输出端连接，所述第二储能元件的第一端与所述滤波模块的零线输出端连接，所述第一储能元件的第二端与所述第二储能元件的第二端之间的连接点与所述浪涌残压吸收模块的第一端连接。

8、可选地，在本技术的一个实施例中，所述滤波模块包括扼流圈、第一电阻模块和第二电阻模块；其中，

9、所述交流电源接口模块的火线端与分别与所述扼流圈的火线输入端和所述第一电阻模块的第一端连接，所述扼流圈的火线输出端和所述第一电阻模块的第二端之间的连接点与所述第一储能元件的第一端连接；

10、所述交流电源接口模块的零线端分别与所述扼流圈的零线输入端和所述第二电阻模块的第一端连接，所述扼流圈的零线输出端和所述第二电阻模块的第二端之间的连接点与所述第二储能元件的第一端连接。

11、可选地，在本技术的一个实施例中，所述第一电阻模块包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第二电阻模块包括串联连接的第三电阻和第四电阻。

12、可选地，在本技术的一个实施例中，所述储能元件为电容。

13、可选地，在本技术的一个实施例中，所述浪涌残压吸收模块包括至少一个电阻；在所述浪涌残压吸收模块包括多个电阻的情况下，所述多个电阻之间串联连接和/或并联连接。

14、可选地，在本技术的一个实施例中，所述浪涌残压吸收模块包括第五电阻、第六电阻和第七电阻；其中，

15、所述第五电阻的第一端和所述第六电阻的第一端之间的连接点与所述浪涌残压存储模块的第二端连接，所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第二端之间的连接点与所述第七电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端接地。

16、根据本技术的另一方面，提供了一种电子设备，包括：交流电源接口模块和前述一方面中任一所示的浪涌抑制电路；其中，

17、所述交流电源接口模块与所述滤波模块的输入端连接。

18、可选地，在本技术的一个实施例中，所述电子设备为空调。

19、综上，本技术实施例提供的浪涌抑制电路，包括滤波模块、浪涌残压存储模块和浪涌残压吸收模块；其中，滤波模块的输入端与交流电源接口模块连接，滤波模块的输出端与浪涌残压存储模块的第一端连接，浪涌残压存储模块的第二端与浪涌残压吸收模块的第一端连接，浪涌残压吸收模块的第二端接地。因此，通过在交流电源接口模块处设置浪涌抑制电路，可以从源头抑制浪涌电压，可以提高浪涌电压抗干扰能力，并且成本较低。

20、本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。

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【技术保护点】

1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括：滤波模块、浪涌残压存储模块和浪涌残压吸收模块；其中，

2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌残压存储模块包括至少一个储能元件；其中，

3.根据权利要求2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌残压存储模块包括第一储能元件和第二储能元件；其中，

4.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述滤波模块包括扼流圈、第一电阻模块和第二电阻模块；其中，

5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述第一电阻模块包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第二电阻模块包括串联连接的第三电阻和第四电阻。

6.根据权利要求2至4任一所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述储能元件为电容。

7.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌残压吸收模块包括至少一个电阻；在所述浪涌残压吸收模块包括多个电阻的情况下，所述多个电阻之间串联连接和/或并联连接。

8.根据权利要求7所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌残压吸收模块包括第五电阻、第六电阻和第七电阻；其中，

9.一种电子设备，其特征在于，包括交流电源接口模块和如权利要求1至8任一所述的浪涌抑制电路；其中，

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为空调。

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【技术特征摘要】

1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括：滤波模块、浪涌残压存储模块和浪涌残压吸收模块；其中，

2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌残压存储模块包括至少一个储能元件；其中，

3.根据权利要求2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌残压存储模块包括第一储能元件和第二储能元件；其中，

4.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述滤波模块包括扼流圈、第一电阻模块和第二电阻模块；其中，

5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述第一电阻模块包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第二电阻模块包括串联连接的第三电阻和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚琦，
申请(专利权)人：小米科技武汉有限公司，
类型：新型
国别省市：