System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 含氮杂多环化合物、材料、元件、显示装置、及照明装置制造方法及图纸_技高网

含氮杂多环化合物、材料、元件、显示装置、及照明装置制造方法及图纸

技术编号:41330829 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-20 09:52
本发明专利技术提供一种含氮杂多环化合物、材料、元件、显示装置、及照明装置。本发明专利技术提供一种有效用作有机EL元件等有机器件用材料的新颖化合物。式(1)所表示的含氮杂多环化合物可用作有机EL元件的电子传输材料;A环~C环的至少一个为经取代或未经取代的含氮杂芳基环,其他为经取代或未经取代的芳基环或者经取代或未经取代的杂芳基环,且其中任意一个具有与Ar<supgt;D</supgt;的键结键,m为1或2,当m为1时,Ar<supgt;D</supgt;为经取代或未经取代的芳基或者经取代或未经取代的杂芳基,当m为2时,Ar<supgt;D</supgt;为经取代或未经取代的亚芳基或者经取代或未经取代的亚杂芳基,X为O、S或N‑Ar<supgt;X</supgt;(Ar<supgt;X</supgt;为苯基等),式(1)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘取代。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种含氮杂多环化合物。另外,本专利技术涉及使用所述含氮杂多环化合物的有机电致发光元件、有机场效晶体管及有机薄膜太阳电池等有机器件、以及显示装置及照明装置,尤其涉及一种含氮杂多环化合物、材料、元件、显示装置、及照明装置


技术介绍

1、从前,使用进行电致发光的发光元件的显示装置因可实现省电力化或薄型化而得到各种研究,进而,包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是,关于具有作为光的三原色之一的蓝色或绿色等的发光特性的有机材料的开发,以及关于包括空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发,迄今为止,不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。

2、有机电致发光(electroluminescence,el)元件具有如下结构,所述结构包括:包含阳极及阴极的一对电极,以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中,有发光层,或传输或注入空穴、电子等的电荷的电荷传输/注入层等,且开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。

3、作为发光层用的发光材料,例如专利文献1中报告有一种对氮杂硼烷(azaborine)衍生物进行了改良的材料等。另外,专利文献2中公开了一种ir络合物的有机磷光发光材料,其具有包含7元环结构的含氮多环结构的配体。

4、[现有技术文献]

5、[专利文献]

6、[专利文献1]国际公开第2015/102118号

7、[专利文献2]中国专利申请公开第110759950号说明书


技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、如上所述,作为有机电致发光元件中所使用的材料,开发有各种材料,但为了增加有机电致发光元件用材料的选择项,期望开发一种包含与从前不同的化合物的材料。

3、本专利技术的课题在于提供一种有效用作有机电致发光元件等有机器件用材料的新颖化合物。

4、[解决问题的技术手段]

5、本专利技术人等人为了解决所述课题而进行了努力研究,发现将作为包含7元环结构的含氮杂多环化合物的具有特定取代基的化合物用作电子传输材料的有机电致发光元件的发光效率优异,从而完成了本专利技术。即,本专利技术提供以下那样的含氮杂多环化合物,进而提供包含以下那样的含氮杂多环化合物的有机器件用材料等。

6、<1>一种含氮杂多环化合物,由式(1)表示;

7、[化1]

8、

9、式(1)中,

10、a环、b环及c环分别独立地为经取代或未经取代的芳基环或者经取代或未经取代的杂芳基环,其中,选自由a环、b环及c环所组成的群组中的至少一个环为经取代或未经取代的含氮杂芳基环,选自由a环、b环及c环所组成的群组中的任意一个环具有与ard的键结键,

11、m为1或2,

12、当m为1时,ard为经取代或未经取代的芳基或者经取代或未经取代的杂芳基,

13、当m为2时,ard为经取代或未经取代的亚芳基或者经取代或未经取代的亚杂芳基,

14、x为o、s或n-arx,arx为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、或者未经取代的烷基,而且,

15、式(1)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘取代。

16、<2>根据<1>所述的含氮杂多环化合物,其中,选自由a环、b环及c环所组成的群组中的至少一个环为经取代或未经取代的吡啶环,其他的环为经取代或未经取代的苯环。

17、<3>根据<1>或<2>所述的含氮杂多环化合物,其中,c环为经取代或未经取代的苯环,c环中的所述苯环上的碳原子与ard直接键结。

18、<4>根据<1>至<3>中任一项所述的含氮杂多环化合物,其中,x为o或s。

19、<5>根据<1>至<4>中任一项所述的含氮杂多环化合物,其中,m为1,ard为取代芳基或取代杂芳基,

20、所述取代芳基及所述取代杂芳基均至少具有

21、芳基、杂芳基、卤素或可经氰基取代的芳基、或者

22、芳基、杂芳基、卤素或可经氰基取代的杂芳基作为取代基。

23、<6>根据<1>至<5>中任一项所述的含氮杂多环化合物,其中,ard包含三嗪环作为部分结构。

24、<7>根据<6>所述的含氮杂多环化合物,由以下任一式表示。

25、[化2]

26、

27、<8>根据<1>所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示。

28、[化3]

29、

30、<9>根据<1>所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示。

31、[化4]

32、

33、<10>根据<1>所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示。

34、[化5]

35、

36、<11>一种有机器件用材料,含有根据<1>至<10>中任一项所述的含氮杂多环化合物。

37、<12>根据<11>所述的有机器件用材料,其为有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料。

38、<13>一种有机电致发光元件用材料,含有根据<1>至<10>中任一项所述的含氮杂多环化合物。

39、<14>一种有机电致发光元件,具有:一对电极,包含阳极及阴极;发光层,配置于所述一对电极间;以及电子注入层或电子传输层,配置于所述阴极及所述发光层之间,所述有机电致发光元件中,所述电子注入层或所述电子传输层包含根据<1>至<10>中任一项所述的含氮杂多环化合物。

40、<15>根据<14>所述的有机电致发光元件,其中,所述电子注入层或所述电子传输层包含羟基喹啉系金属络合物。

41、<16>一种显示装置,包括根据<14>所述的有机电致发光元件。

42、<17>一种照明装置,包括根据<14>所述的有机电致发光元件。

43、[专利技术的效果]

44、根据本专利技术,提供一种有效用作有机电致发光元件等有机器件用材料的新颖化合物。本专利技术的化合物可用于制造有机电致发光元件等有机器件。

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【技术保护点】

1.一种含氮杂多环化合物,由式(1)表示;

2.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,选自由A环、B环及C环所组成的群组中的至少一个环为经取代或未经取代的吡啶环,其他的环为经取代或未经取代的苯环。

3.根据权利要求2所述的含氮杂多环化合物,其中,C环为经取代或未经取代的苯环,C环中的所述苯环上的碳原子与ArD直接键结。

4.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,X为O或S。

5.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,m为1,ArD为取代芳基或取代杂芳基,

6.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,ArD包含三嗪环作为部分结构。

7.根据权利要求6所述的含氮杂多环化合物,由以下任一式表示,

8.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示,

9.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示,

10.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示,

11.一种有机器件用材料,含有如权利要求1至10中任一项所述的含氮杂多环化合物

12.根据权利要求11所述的有机器件用材料,其为有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料。

13.一种有机电致发光元件用材料,含有如权利要求1至10中任一项所述的含氮杂多环化合物。

14.一种有机电致发光元件,具有:一对电极,包含阳极及阴极;发光层,配置于所述一对电极间;以及电子注入层或电子传输层,配置于所述阴极及所述发光层之间,所述有机电致发光元件中,所述电子注入层或所述电子传输层包含如权利要求1至10中任一项所述的含氮杂多环化合物。

15.根据权利要求14所述的有机电致发光元件,其中,所述电子注入层或所述电子传输层包含羟基喹啉系金属络合物。

16.一种显示装置,包括如权利要求14所述的有机电致发光元件。

17.一种照明装置,包括如权利要求14所述的有机电致发光元件。

...

【技术特征摘要】

1.一种含氮杂多环化合物,由式(1)表示;

2.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,选自由a环、b环及c环所组成的群组中的至少一个环为经取代或未经取代的吡啶环,其他的环为经取代或未经取代的苯环。

3.根据权利要求2所述的含氮杂多环化合物,其中,c环为经取代或未经取代的苯环,c环中的所述苯环上的碳原子与ard直接键结。

4.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,x为o或s。

5.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,m为1,ard为取代芳基或取代杂芳基,

6.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,其中,ard包含三嗪环作为部分结构。

7.根据权利要求6所述的含氮杂多环化合物,由以下任一式表示,

8.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示,

9.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,由以下式表示,

10.根据权利要求1所述的含氮杂多环化合物,...

【专利技术属性】
技术研发人员:增田胜也小野敦史大森英史
申请(专利权)人:爱思开新材料捷恩智株式会社
类型:发明
国别省市:

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