【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子通信，具体而言，涉及一种基于htcc技术的新型增益均衡器。
技术介绍
1、增益均衡器在微波功率模块中起着至关重要的作用，它通常位于固态功率放大器的输出端，负责对放大器的输出功率进行均衡，使其满足行波管放大器各频点的饱和输入功率，从而使行波管放大器工作在饱和状态。随着系统频率的逐步提升，增益均衡器的发展也逐渐延伸至毫米波及太赫兹频段。然而，传统的增益均衡器设计，如微带式均衡器和谐振腔式均衡器，受限于工作频率、精度、装配难度和集成度等方面的制约，难以满足高频率、大规模和宽范围增益均衡的需求。传统的波导或者微带增益均衡器，体积较大且装配存在一定困难。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种可以通过调整第二层谐振单元的个数和尺寸以及耦合孔的尺寸调整各个频点的均衡量，有效地均衡前级功率放大器的输出，确保后级行波管放大器在最优性能状态下运行的基于htcc技术的新型增益均衡器。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种基于htcc技术的新型增益均衡器，包括两层htcc结构，第一层htcc结构包括一个基于siw技术构成的谐振腔，第二层htcc结构包括至少一个基于siw技术构成的谐振单元；
3、所述htcc结构采用htcc多层陶瓷基板，为金属-陶瓷介质-金属的三维叠层结构；
4、谐振腔为在htcc多层陶瓷基板上对称设置的两排金属柱，谐振单元为在htcc多层陶瓷基板上设置的由多个金属柱围成的矩形结构；谐振腔的
5、两层htcc结构之间通过耦合孔进行电磁波的传输，耦合孔的孔径为0.13mm。
6、所述金属柱贯穿设置在htcc多层陶瓷基板上，金属柱为金属钨，高度为0.1mm，直径为0.06mm，两个金属柱之间的间距为0.18mm；所述陶瓷介质采用kch90，尺寸为7mm×2mm，厚度为0.1mm；
7、所述谐振腔内单排金属柱中，最外侧的两个金属柱的中心距离为4.26mm；两排金属柱之间的距离为1mm。
8、每个谐振单元中，矩形的一组对边与谐振腔内的单排金属柱平行，另一组对边与单排金属柱垂直；平行边的方向上最边缘两个金属柱中心间距为0.88mm，垂直边的方向上最边缘两个金属柱中心间距为1.04mm。
9、本专利技术的有益效果是：本专利技术提出的增益均衡器在75-110ghz频段内展现了两个明显的吸收峰，最大均衡量为6.3db。本专利技术还可以通过调整第二层谐振单元的个数和尺寸以及耦合孔的尺寸调整各个频点的均衡量，有效地均衡前级功率放大器的输出，确保后级行波管放大器在最优性能状态下运行。且本专利技术的增益均衡器结构简单、集成度高、制备容易，支持多频点调制，使其具有广泛的应用潜力，特别是在雷达和通信系统领域，可望发挥重要作用。
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1.一种基于HTCC技术的新型增益均衡器，其特征在于，包括两层HTCC结构，第一层HTCC结构包括一个基于SIW技术构成的谐振腔，第二层HTCC结构包括至少一个基于SIW技术构成的谐振单元；
2.根据权利要求1所述的一种基于HTCC技术的新型增益均衡器，其特征在于，两层HTCC结构之间通过耦合孔进行电磁波的传输，耦合孔的孔径为0.13mm。
3.根据权利要求1所述的一种基于HTCC技术的新型增益均衡器，其特征在于，所述金属柱贯穿设置在HTCC多层陶瓷基板上，金属柱为金属钨，高度为0.1mm，直径为0.06mm，两个金属柱之间的间距为0.18mm。
4.根据权利要求1所述的一种基于HTCC技术的新型增益均衡器，其特征在于，所述陶瓷介质采用KCH90，尺寸为7mm×2mm，厚度为0.1mm。
5.根据权利要求1所述的一种基于HTCC技术的新型增益均衡器，其特征在于，所述谐振腔内单排金属柱中，最外侧的两个金属柱的中心距离为4.26mm；两排金属柱之间的距离为1mm。
6.根据权利要求1所述的一种基于HTCC技术的新型增益均衡器
...【技术特征摘要】
1.一种基于htcc技术的新型增益均衡器，其特征在于，包括两层htcc结构，第一层htcc结构包括一个基于siw技术构成的谐振腔，第二层htcc结构包括至少一个基于siw技术构成的谐振单元；
2.根据权利要求1所述的一种基于htcc技术的新型增益均衡器，其特征在于，两层htcc结构之间通过耦合孔进行电磁波的传输，耦合孔的孔径为0.13mm。
3.根据权利要求1所述的一种基于htcc技术的新型增益均衡器，其特征在于，所述金属柱贯穿设置在htcc多层陶瓷基板上，金属柱为金属钨，高度为0.1mm，直径为0.06mm，两个金属柱之间的间距为0.18mm。
4.根据权利...
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