【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、相关技术的描述
2、随着半导体制造工艺的进步和裸片几何尺寸的减小，半导体芯片提供更多的功能和性能，同时占用更少的空间。虽然已经取得了许多进步，但现代技术在处理和集成电路设计中仍然出现设计问题，这限制了潜在的益处。例如，电容耦合、电迁移、诸如至少漏电流之类的短沟道效应和制程产量是一些影响半导体芯片的整个裸片的器件放置和信号路由的问题。这些问题有可能延迟设计的完成，并影响上市时间。
3、为了缩短半导体芯片的设计周期，在可能的情况下，手动全定制设计被自动化替代。在一些情况下，手动创建标准单元布局。在其他情况下，调整布局布线工具所使用的规则，从而自动化单元创建。但是，自动化过程有时不满足针对性能、功耗、信号完整性、制程产量、本地和外部信号路由两者(包括内部交叉耦合连接)、引脚访问等的每个规则。因此，设计人员手动地创建这些单元以实现多个特性的更好结果或者重写用于布局布线工具的规则。然而，很多时候，布局工具和规则是针对平面器件而不是针对相对新近的非平面器件来设置的。
4、鉴于上述情况，需要用于创建标准单元布局的有效方法和系统。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路，所述集成电路包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一晶体管进一步包括第三沟道。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二沟道形成在与所述氧化物层接合的晶圆上。
5.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路进一步包括在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的单个过孔层。
6.根据权利要求5所述的集成电路，所述集成电路进一步包括在第一端处直接连接到第一个金属栅极并且在第二端处直接连接到第二个金属栅极的垂直栅极触点。
7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述第一沟道的第一掺杂极性是与所述第二沟道的第二掺杂极性相反的极性。
8.一种方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括在所述第一晶体管中形成除所述第一沟道之外的第三沟道。
11.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括在与所述氧化物层接合的晶圆上形成所述第二通道。p>
12.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间放置单个过孔层。
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括放置垂直栅极触点，所述垂直栅极触点在第一端处直接连接到第一个金属栅极并且在第二端处直接连接到第二个金属栅极。
14.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括形成具有第一掺杂极性的所述第一沟道，所述第一掺杂极性与所述第二沟道的第二掺杂极性相反。
15.一种计算系统，所述计算系统包括：
16.根据权利要求15所述的计算系统，其中：
17.根据权利要求15所述的计算系统，其中所述第一晶体管进一步包括第三沟道。
18.根据权利要求15所述的计算系统，其中所述第二沟道形成在与所述氧化物层接合的晶圆上。
19.根据权利要求15所述的计算系统，其中所述集成电路进一步包括在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的单个过孔层。
20.根据权利要求19所述的计算系统，所述集成电路进一步包括在第一端处直接连接到第一个金属栅极并且在第二端处直接连接到第二个金属栅极的垂直栅极触点。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成电路，所述集成电路包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一晶体管进一步包括第三沟道。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二沟道形成在与所述氧化物层接合的晶圆上。
5.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路进一步包括在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的单个过孔层。
6.根据权利要求5所述的集成电路，所述集成电路进一步包括在第一端处直接连接到第一个金属栅极并且在第二端处直接连接到第二个金属栅极的垂直栅极触点。
7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述第一沟道的第一掺杂极性是与所述第二沟道的第二掺杂极性相反的极性。
8.一种方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括在所述第一晶体管中形成除所述第一沟道之外的第三沟道。
11.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括在与所述氧化物层接合的晶圆上形成所述第二通道。
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