【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体，具体涉及一种多层连接结构及其制造方法、半导体装置。
技术介绍
1、目前，半导体技术发展迅速，在半导体装置中，半导体器件越来越密集，互连结构中引线膜层的层数变得越来越多，这样使得引线膜层之间的连接关系、引线膜层向外引出的方式等变得越来越复杂，从而会耗费非常多的生产成本，浪费产能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种多层连接结构及其制造方法、半导体装置，在实现互连导体与对应引线膜层连接的同时，还可降低生产成本，减少产能浪费。
2、本公开第一方面提供了一种多层连接结构，其包括：
3、层叠结构，所述层叠结构包括多层引线膜层和至少一层绝缘膜层，所述引线膜层和所述绝缘膜层沿竖直方向交替设置，每层所述引线膜层至少包括实际引线图案部；
4、多个水平间隔排布的互连通孔，所述互连通孔暴露至少一层所述引线膜层的实际引线图案部，且至少两个所述互连通孔对应暴露的实际引线图案部所在的引线膜层的位置不完全相同，其中，每个所述互连通孔至少贯穿所述层叠结构中最底层所述引线膜层之上的所有膜层；
5、互连导体，填充于所述互连通孔中。
6、在本公开的一种示例性实施例中，任意所述互连通孔的顶端面相互平齐。
7、在本公开的一种示例性实施例中，所述互连导体的顶端面与所述层叠结构的顶端面相平齐；和/或
8、所述绝缘膜层设置多层，所述层叠结构的最顶层膜层为所述绝缘膜层；和/或
9、所述引线膜层设置有三层以上。>
10、在本公开的一种示例性实施例中，所述层叠结构中在最底层所述引线膜层之上的至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，在同一所述引线膜层中：所述虚拟图案部的底端面与所述实际引线图案部的底端面相平齐，且所述虚拟图案部的顶端面与所述实际引线图案部的顶端面相平齐；
11、其中，所述虚拟图案部与至少一所述互连通孔在所述竖直方向上存在交叠并被暴露。
12、在本公开的一种示例性实施例中，每个所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部。
13、在本公开的一种示例性实施例中，任意所述互连通孔的底端面相互平齐，其中，
14、所述互连通孔贯穿最底层所述引线膜层的图案部；或
15、所述互连通孔的底端嵌在最底层所述引线膜层的图案部内。
16、在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述互连通孔沿竖直方向上的正投影完全位于每层所述引线膜层的一个图案部内；和/或
17、至少一个所述互连通孔沿竖直方向上的正投影与位于同层所述引线膜层的至少一个图案部存在交叠；和/或
18、至少一个图案部被多个所述互连通孔暴露。
19、本公开第二方面提供了一种半导体装置，其包括衬底及至少一个前述任一项所述的多层连接结构，所述多层连接结构形成在所述衬底上。
20、本公开第三方面提供了一种多层连接结构的制造方法，所述制造方法包括：
21、在衬底上沿竖直方向交替设置引线膜层和绝缘膜层，以形成层叠结构，所述引线膜层设置多层，所述绝缘膜层设置至少一层，每层所述引线膜层至少包括实际引线图案部；
22、在形成所述层叠结构的最顶层膜层后，采用蚀刻工艺对所述层叠结构进行图案化处理，以形成多个水平间隔排布的互连通孔，所述互连通孔至少贯穿所述层叠结构中最底层所述引线膜层之上的所有膜层，并暴露至少一层所述引线膜层的实际引线图案部，且至少两个所述互连通孔对应暴露的实际引线图案部所在的引线膜层的位置不完全相同；
23、在每个所述互连通孔内填充导体材料，以在每个互连通孔内形成互连导体。
24、在本公开的一种示例性实施例中，至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上的每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部；
25、其中，形成包括有所述实际引线图案部和所述虚拟图案部的引线膜层的步骤，包括：
26、在所述衬底上形成导电薄膜；
27、对所述导电薄膜进行图案化处理，以同时形成所述实际引线图案部和所述虚拟图案部。
28、在本公开的一种示例性实施例中，所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上的每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部；
29、其中，形成包括有所述实际引线图案部和所述虚拟图案部的引线膜层的步骤，包括：
30、在所述衬底上形成导电薄膜；
31、采用一次构图工艺对所述导电薄膜进行图案化处理，以同时形成一部分所述实际引线图案部和至少一个中间图案部，所述中间图案部与所述实际引线图案部相互断开；
32、采用一次构图工艺对所述中间图案部进行图案化处理，以同时形成另一部分所述实际引线图案部和所述虚拟图案部。
33、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
34、在本公开中，多层连接结构中所有互连通孔均贯穿层叠结构中最底层引线膜层之上的所有膜层，也就是说，本公开多层连接结构中所有互连通孔对应的互连导体均是在层叠结构的最顶层膜层制作完成后才形成的，这样设计方便多层连接结构中不同类型的互连导体同步制作而成，相比于不同类型互连导体需要分别单独制作而成的结构方案，本公开多层连接结构的设计方案可降低多层连接结构的生产成本，减少产能浪费。
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1.一种多层连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述互连通孔的顶端面相互平齐。
3.根据权利要求2所述的多层连接结构，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层连接结构，其特征在于，所述层叠结构中在最底层所述引线膜层之上的至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，在同一所述引线膜层中：所述虚拟图案部的底端面与所述实际引线图案部的底端面相平齐，且所述虚拟图案部的顶端面与所述实际引线图案部的顶端面相平齐；
5.根据权利要求4所述的多层连接结构，其特征在于，每个所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部。
6.根据权利要求5所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述互连通孔的底端面相互平齐，其中，
7.根据权利要求5所述的多层连接结构，其特征在于，
8.一种半导体装置，其特征在于，包括衬底及至少一个如权利要求1至7
9.一种多层连接结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上的每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部；
11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上的每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部；
...【技术特征摘要】
1.一种多层连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述互连通孔的顶端面相互平齐。
3.根据权利要求2所述的多层连接结构，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层连接结构，其特征在于，所述层叠结构中在最底层所述引线膜层之上的至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，在同一所述引线膜层中：所述虚拟图案部的底端面与所述实际引线图案部的底端面相平齐，且所述虚拟图案部的顶端面与所述实际引线图案部的顶端面相平齐；
5.根据权利要求4所述的多层连接结构，其特征在于，每个所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部。
6.根据权利要求5所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景皓，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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