【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体，具体涉及一种多层连接结构及其制造方法、半导体装置。
技术介绍
1、目前，半导体技术发展迅速，在半导体装置中，半导体器件越来越密集，互连结构中引线膜层的层数变得越来越多，这样使得引线膜层之间的连接关系、引线膜层向外引出的方式等变得越来越复杂，从而会耗费非常多的生产成本，浪费产能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种多层连接结构及其制造方法、半导体装置，在实现互连导体与对应引线膜层连接的同时，还可降低生产成本，减少产能浪费。
2、本公开第一方面提供了一种多层连接结构，其包括：
3、层叠结构，所述层叠结构包括多层引线膜层和至少一层绝缘膜层，所述引线膜层和所述绝缘膜层沿竖直方向交替设置，每层所述引线膜层至少包括实际引线图案部；
4、多个水平间隔排布的互连通孔，所述互连通孔暴露至少一层所述引线膜层的实际引线图案部，且至少两个所述互连通孔对应暴露的实际引线图案部所在的引线膜层的位置不完全相同，其中，每个所述互连通孔至少贯穿所述层叠结构中最底层所...
【技术保护点】
1.一种多层连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述互连通孔的顶端面相互平齐。
3.根据权利要求2所述的多层连接结构，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层连接结构，其特征在于，所述层叠结构中在最底层所述引线膜层之上的至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，在同一所述引线膜层中：所述虚拟图案部的底端面与所述实际引线图案部的底端面相平齐，且所述虚拟图案部的顶端面与所述实际引线图案部的顶端面相平齐；
5.根据权利要求4所述的多层连接结构...
【技术特征摘要】
1.一种多层连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述互连通孔的顶端面相互平齐。
3.根据权利要求2所述的多层连接结构，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层连接结构，其特征在于，所述层叠结构中在最底层所述引线膜层之上的至少一所述引线膜层还包括与所述实际引线图案部相互断开的虚拟图案部，在同一所述引线膜层中：所述虚拟图案部的底端面与所述实际引线图案部的底端面相平齐，且所述虚拟图案部的顶端面与所述实际引线图案部的顶端面相平齐；
5.根据权利要求4所述的多层连接结构，其特征在于，每个所述互连通孔沿竖直方向贯穿最底层所述引线膜层之上每层所述引线膜层的图案部，且所述互连通孔沿竖直方向贯穿的图案部包括所述实际引线图案部和/或所述虚拟图案部。
6.根据权利要求5所述的多层连接结构，其特征在于，任意所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景皓，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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