一种高抗电源噪声的带隙基准制造技术

本发明专利技术属于电子电路技术领域，尤其涉及一种高抗电源噪声的带隙基准。本发明专利技术的目的是针对高压驱动电路中存在的比较严重的电源噪声，提出一种高抗电源噪声的带隙基准，该电路具有在高压栅驱动较严重的噪声环境中正常工作，为高压栅驱动芯片提供准确稳定的基准值。本发明专利技术的电路包括启动和偏执电路、预电源轨产生电路、带隙基准核心电路以及用于负反馈箝位的运算放大器，利用预电源轨技术和反馈技术提高基准对电源噪声的抑制性能，再利用运算放大器的负反馈箝位和NPN管的BE结温度特性产生一个高抗电源噪声的基准电压。本发明专利技术提出一种高抗电源噪声的带隙基准电路，能在高压栅驱动系统的高电源噪声中正常工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子电路，尤其涉及一种高抗电源噪声的带隙基准。

技术介绍

1、带隙基准作为模拟集成电路中十分重要的一部分，在各个领域内都有广泛应用。在高压栅驱动芯片中，由于开关节点的高频率翻转，带隙基准的电源抑制能力十分重要。一个抗噪声能力强的带隙基准，能够有效隔绝开关节点带来的影响，对驱动芯片的可靠性十分重要。因此，提出一种高抗电源噪声的带隙基准对高压栅驱动电路有重要意义。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是针对高压驱动电路中存在的比较严重的电源噪声，提出一种高抗电源噪声的带隙基准，该电路具有在高压栅驱动较严重的噪声环境中正常工作，为高压栅驱动芯片提供准确稳定的基准值。

2、本专利技术的技术方案为：

3、一种高抗电源噪声的带隙基准，包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管、第十一nmos管、第十二nmos管、第十三nmos管、第十四nmos管、第十五nmos管、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高抗电源噪声的带隙基准，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、...

【技术特征摘要】

1.一种高抗电源噪声的带隙基准，其特征在于，包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管、第十一nmos管、第十二nmos管、第十三nmos管、第十四nmos管、第十五nmos管、第十六nmos管、第一p...

【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，姚自宸，吴之久，陈霖民，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：