System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种控制方法、装置及其电子设备制造方法及图纸_技高网

一种控制方法、装置及其电子设备制造方法及图纸

技术编号:41327412 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-13 15:05
本发明专利技术实施方式公开了一种控制方法、装置及其电子设备。包括:根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断开关周期是否大于预设的设定周期,开关周期为第一延迟时间和间隔时间之和;若是,则在延迟第一延迟时间,并控制主开关管直接导通;若否,则通过平均电流调制,以在带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使不对称半桥变换器在第二模式周期中运行在临界导通模式。本发明专利技术实施方式通过在开关周期大于设定周期时,直接导通主开关管,或在开关周期不大于设定周期时,通过调制的方式插入临界导通模式,能够减少输出电流稳态误差,平滑输出电流波动以及减小输出电压波动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方式涉及电子,特别是涉及一种控制方法、装置及其电子设备


技术介绍

1、基于简单结构和稳健特性的原因,反激式变换器已成为小功率领域中最广泛使用的直流变换器拓扑之一。其多输出和成本效益设计使得反激式变换器在个人电脑、各类家用电器和办公设备等应用中备受青睐。然而,反激式变换器的主要缺点在于硬开关,通常情况下,功率开关的硬开关操作会导致较高的开关损耗、电磁干扰噪声以及开关电压应力较大的问题。不对称半桥变换器(asymmetrical half bridge converter,ahb)或称混合式反激变换器(hybrid flyback converter),采用半桥结构和谐振电容器实现功率开关的零电压开关(zero-voltage switching,zvs)以及宽范围电压输出,目前越来越受欢迎。

2、在不对称半桥变换器的应用中,为了实现原边开关管零电压导通,在额定负载时一般设计工作在临界导通模式(bcm,boundary conduction mode),在此模式下主开关管和从开关管都可以实现零电压开通,因此无开通损耗;但随着负载功率降低,为了维持bcm模式运行则开关频率必然随之升高,最终影响磁性元件设计以及电源的中低负载效率。为了降低中低负载时的开关频率,业界主要采用在负载功率降低时强制由bcm模式切换为不连续导通模式(dcm,discontinues conduction mode),从而在维持相同的输出能量条件下降低等效开关频率。但是强制dcm模式运行将导致下一个开关周期主开关管导通时寄生电容上电压不为零,无法达成零电压导通增加了开通损耗,所以如何在dcm模式下尽可能减小主开关管开通损耗,并同时不引起输出电压波动是一个技术难题。


技术实现思路

1、本专利技术实施方式主要解决的技术问题是提供一种控制方法、装置及其电子设备,能够在不增加不对称半桥变换器的主开关管的开通损耗的前提下,减少输出电流稳态误差,平滑输出电流波动以及减小输出电压波动。

2、为解决上述技术问题,本专利技术实施方式采用的一个技术方案是:提供一种控制方法,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,包括:根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断开关周期是否大于预设的设定周期,所述开关周期为所述第一延迟时间和间隔时间之和;若是,则在延迟所述第一延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;若否,则通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使所述不对称半桥变换器在所述第二模式周期中运行在临界导通模式。

3、在一些实施例中,在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期后,还包括:若所述不对称半桥变换器运行在所述临界导通模式,则在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;若所述不对称半桥变换器运行在所述带谷底检测不连续导通模式,则在延迟达到所述第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟所述第二延迟时间时,控制所述主开关管谷底导通。

4、在一些实施例中,所述根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到延迟时间,包括:检测以获取所述励磁电流正向峰值;检测以获取所述励磁电流负向峰值;检测以获取所述不对称半桥变换器的输出电流;通过预设的第一算法,根据所述输出电流计算得到所述参考电流;根据所述励磁电流正向峰值、所述励磁电流负向峰值和所述参考电流,计算得到所述延迟时间。

5、在一些实施例中,所述不对称半桥变换器还包括开关器件,所述通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,包括:根据所述不对称半桥变换器的输出电流和所述参考电流,计算得到误差信号;通过预设的第二算法,根据所述误差信号计算出第一控制信号;对所述第一控制信号进行调制得到第二控制信号;输出所述第二控制信号控制所述开关器件,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期。

6、在一些实施例中,所述第二延迟时间为所述不对称半桥变换器的1/4谐振周期。

7、在一些实施例中,所述设定周期被预设为在检测到第一次零电流检测信号后,经历所述第一延迟时间过程中的零电流检测信号的发生次数。

8、为解决上述技术问题,本专利技术实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种控制装置,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,包括:延时计算模块,用于根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断模块,用于判断开关周期是否大于预设的设定周期,所述开关周期为所述第一延迟时间和间隔时间之和;第一控制模块,用于在所述开关周期大于所述设定周期时,延迟所述第一延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;调制模块,用于在所述开关周期不大于所述设定周期时,通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使所述不对称半桥变换器在所述第二模式周期中运行在临界导通模式。

9、在一些实施例中,控制装置还包括:第二控制模块,用于当所述不对称半桥变换器运行在所述临界导通模式时,在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;第三控制模块,用于当所述不对称半桥变换器运行在所述带谷底检测不连续导通模式时,在延迟达到所述第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟所述第二延迟时间时,控制所述主开关管谷底导通。

10、为解决上述技术问题,本专利技术实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种电子设备,其特征在于,包括:至少一个处理器;至少一个网络接口,所述网络接口与相应的处理器通信连接;以及,与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述网络接口用于建立所述处理器与其他外界设备之间的通信连接;所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如上所述的一种控制方法。

11、为解决上述技术问题,本专利技术实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种非易失性计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令,该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行,可使得所述一个或多个处理器执行如上所述的一种控制方法。

12、本专利技术实施方式的有益效果是:区别于现有技术的情况,本专利技术实施方式通过在开关周期大于设定周期时,直接导通不对称半桥变换器的主开关管,或在开关周期不大于设定周期时,通过调制的方式在不对称半桥变换器的不连续导通模式中插入临界导通模式,能够减少输出电流稳态误差,平滑输出电流波动以及减小输出电压波动。

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【技术保护点】

1.一种控制方法,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期后,还包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,所述不对称半桥变换器还包括开关器件,其特征在于,所述通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,包括:

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二延迟时间为所述不对称半桥变换器的1/4谐振周期。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其特征在于,所述设定周期被预设为在检测到第一次零电流检测信号后,经历所述第一延迟时间过程中的零电流检测信号的发生次数。

7.一种控制装置,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:

9.一种电子设备,其特征在于,包括:

10.一种非易失性计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令,该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行,可使得所述一个或多个处理器执行如权利要求1-6任一项所述的一种控制方法。

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【技术特征摘要】

1.一种控制方法,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期后,还包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,所述不对称半桥变换器还包括开关器件,其特征在于,所述通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,包括:

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二延迟时间为所述不对...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘翔谢仁践
申请(专利权)人:深圳慧能泰半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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