一种基于GaN HEMT开关控制的脉冲电流源制造技术

本发明专利技术公开一种基于GaN HEMT开关控制的脉冲电流源，涉及半导体及开关电源领域。本发明专利技术通过电源模块在GaN HEMT源极和漏极之间产生源漏电压，使得导电沟道内产生横向电场；同时控制模块将电源模块输出的电压调制为不同频率的脉冲电压信号，再输出至GaN HEMT栅极，通过控制栅极电压使其在导通和关断状态之间交替切换，输出脉冲电流进入负载模块，引起负载模块的信号强度变化来作为信号源。本发明专利技术采用的GaN HEMT开关性能稳定且响应速度快，通过GaN HEMT的电路开关控制，一方面减少了开关损耗，在高开关频率下具有高功率密度和高转换效率，另一方面可将控制电路与高压输出电路有效分隔，在高压环境中具有广泛应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体及开关电源，特别是涉及一种基于gan hemt开关控制的脉冲电流源。

技术介绍

1、开关电源设计中，提升开关频率是减少储能元件体积最直接的方法。传统的si基mosfet应用于小于300khz的场合，存在热损耗大、开关频率低、电能转换效率低等缺点，无法满足目前开关电源高功效、高功率密度的市场需求和节能减排的要求。

技术实现思路

1、针对上述
技术介绍
中提出的问题，本专利技术提供一种基于gan hemt开关控制的脉冲电流源，能够利用gan hemt开关性能稳定和响应速度快的特点提升电源转换效率和功率密度。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案。

3、本专利技术提供一种基于gan hemt开关控制的脉冲电流源，包括：gan hemt、控制模块、电源模块、负载模块以及分压模块；所述gan hemt包括栅极、源极、漏极以及源极和漏极之间形成的导电沟道；所述gan hemt的栅极与所述控制模块输出端连接；所述gan hemt的源极与所述负载模块连接后进入所述电源模块负极；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于GaN HEMT开关控制的脉冲电流源，其特征在于，包括：GaN HEMT、控制模块、电源模块、负载模块以及分压模块；所述GaN HEMT包括栅极、源极、漏极以及源极和漏极之间形成的导电沟道；所述GaN HEMT的栅极与所述控制模块输出端连接；所述GaN HEMT的源极与所述负载模块连接后进入所述电源模块负极；所述GaN HEMT的漏极与所述分压模块连接后接入所述电源模块正极；所述控制模块输入端与所述电源模块正极相连接；

2.根据权利要求1所述的基于GaN HEMT开关控制的脉冲电流源，其特征在于，所述控制模块通过控制GaN HEMT的栅极电压来使GaN HEMT在...

【技术特征摘要】

1.一种基于gan hemt开关控制的脉冲电流源，其特征在于，包括：gan hemt、控制模块、电源模块、负载模块以及分压模块；所述gan hemt包括栅极、源极、漏极以及源极和漏极之间形成的导电沟道；所述gan hemt的栅极与所述控制模块输出端连接；所述gan hemt的源极与所述负载模块连接后进入所述电源模块负极；所述gan hemt的漏极与所述分压模块连接后接入所述电源模块正极；所述控制模块输入端与所述电源模块正极相连接；

2.根据权利要求1所述的基于gan hemt开关控制的脉冲电流源，其特征在于，所述控制模块通过控制gan hemt的栅极电压来使gan hemt在导通和关断状态之间交替切换，具体包括：

3.根据权利要求1所述的基于gan hemt开关控制的脉冲电流源，其特征在于，所述电源模块正极分别连接所述控制模块输入端以及分压模块；所述电源模块负极经负载模块与gan hemt的源极连接；所述电源模块不仅用于为控制模块提供输入电压，还用于在ganhemt器件的源极与漏极之间产生源漏电压，使得导电沟道内产生横向电场，从而使得导电沟道内的二维电子气沿着异质结界面运输形成漏极输出电流。

4.根据权利要求1所述的基于gan hemt开关控制的脉冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佩瑶，李百奎，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：