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本发明公开一种基于GaN HEMT开关控制的脉冲电流源，涉及半导体及开关电源领域。本发明通过电源模块在GaN HEMT源极和漏极之间产生源漏电压，使得导电沟道内产生横向电场；同时控制模块将电源模块输出的电压调制为不同频率的脉冲电压信号，再输...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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